中央大学 理工学部 電気電子情報通信工学科
 中央大学 大学院理工学研究科 電気電子情報通信工学専攻 竹内研究室

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  Domestic Conference  
福山将平, 前田一輝, 竹内健, “TaOx ReRAMの書き換え耐久性におけるエラー回復現象を用いた高信頼手法の提案”, 応用物理学会秋季学術講演会, 2017年9月    
竹内健, “データの価値判断に基づくインテリジェントなストレージ技術”, DAシンポジウム, 2017年8月31日. 【招待講演】
松井千尋, 杉山佑輔, 竹内健, “ストレージクラスメモリおよびNANDフラッシュを用いたハイブリッドストレージのアプリケーション依存性”, DAシンポジウム, 2017年8月31日
鶴見洸太, 田中誠大, 竹内健, “IoTローカルデバイス向けCMOSプロセスとNAND型フラッシュプロセスで構成される1.0 V動作NAND型フラッシュメモリ書き込み電圧生成回路”,集積回路研究会, 信学技法, vol. 117, no. 9, ICD2017-5, pp.23-28, 2017年4月20日. [依頼講演]
中村俊貴, 小林惇朗, 竹内健, “リード・ホット・データとコールド・データのエラーを削減するデータセンタ向けTLC NAND型フラッシュメモリの高信頼制御技術”, 集積回路研究会, 信学技法, vol. 117, no. 9, ICD2017-6, pp.29-34, 2017年4月20日. [依頼講演]
小林惇朗, 竹内健, “Read-Hot/Coldアプリケーション向けTLC NAND型フラッシュメモリで構成されるソリッド・ステート・ドライブの高信頼制御技術”, 応用物理学会春季学術講演会, 2017年3月
山賀祐典, 松井千尋, 竹内健, “アプリケーションに適応可能なエンタープライズSSD向けECCシステム”, 応用物理学会春季学術講演会, 2017年3月
出口慶明, 小林惇朗, 竹内健, “1Xnm TLC NAND型フラッシュメモリにおける書き換えストレス緩和技術”, 応用物理学会春季学術講演会, 2017年3月
出口慶明, 竹内健, “1Xnm TLC NAND型フラッシュメモリにおける読み出しディスターブエラー向け誤り訂正符号”, 応用物理学会春季学術講演会, 2017年3月
前田一輝, 竹内健, “プライバシー保護に向けたSSD システムにおけるデータ寿命ばらつき低減手法”, 応用物理学会春季学術講演会, 2017年3月
鈴木健太, 鶴見洸太, 田中誠大, 竹内健, “ハイブリッドSSD向け0.6V動作抵抗変化型メモリの書き込み電圧生成回路の高速化”, 応用物理学会春季学術講演会, 2017年3月
猪瀬貴史, Iwasaki Ogura Tomoko, Sheyang Ning, Darlene Viviani, Monte Manning, X. M. Henry Huang, Thomas Rueckes, 竹内健, “カーボンナノチューブを用いた不揮発性メモリにおける書き換え電圧を変化させたときの耐久性評価”, 応用物理学会春季学術講演会, 2017年3月
竹内健, 日本ITストラテジスト協会関東支部オープンフォーラム2016, 2016年11月12日.【基調講演】
竹内健, “Storage Class Memory/NAND Flash Hybrid Storage System”, ImPACT International Symposium on Spintronic Memory, Circuit and Storage, 2016年9月30日.【招待講演】
竹内健, “データセントリックコンピューティング”, JST ナノエレクトロニクス俯瞰ワークショップ, 2016年3月4日.【招待講演】
竹内健, “高速不揮発メモリとNANDフラッシュのハイブリッドメモリシステム”, JEITA 半導体部会 集積回路製品技術小委員会セミナー, 2016年3月1日.【招待講演】
竹内健, “新たなメモリシステムの流れ ~ データセントリック・コールドストレージ・長期保存メモリ”, 日本学術振興会シリコン超集積化システム第165委員会 第80回研究会, 2016年1月8日.【招待講演】
竹内健, “不揮発性メモリの動向と展望”, アドバンテスト技術発表会, 2015年12月11日.【招待講演】
竹内健, “失敗の研究”, アゴラ経済塾, 2015年10月9日.【招待講演】
竹内健, “不揮発性メモリの動向と将来展望”, 富士通セミコンダクタ, 2015年6月25日.【招待講演】
蜂谷尚悟, 田中丸周平, 徳冨司, 土井雅史, 北村雄太, 山﨑泉樹, 小林惇朗, 竹内健, “アーカイブとエンタープライズストレージに向けた高信頼TLC NANDフラッシュ ソリッド・ステート・ドライブ”, 集積回路研究会, 信学技報, vol.115 , no. 6, ICD2015-5, pp.21-26 , 2015年4月16日. 【招待講演】
竹内健, “IoTに向けたデータ処理システム:データセントリックコンピュータ”, NEDOフォーラム, 2015年2月13日.【招待講演】
竹内健, “激動の時代を生き抜くために必要なこと”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 114, no. 345, ICD2014-105, pp. 121, 2014年12月.【招待講演】
竹内健, “ICTの成長戦略”, 初島会議, 2014年11月10日.【招待講演】
竹内健, “フラッシュメモリーをどう使いこなすか―高速/高信頼/長寿命化に向けた制御技術―”, 半導体ストレージサミット2014 ~エンタープライズ市場の主役に躍り出た次世代ストレージ~, 2014年11月26日.【招待講演】
竹内健, “3次元集積化メモリシステム”, 日本学術振興会半導体界面制御技術第154委員会 第93回研究会, pp. 8-15, 2014年10月16日.【招待講演】
竹内健, “ストレージ・クラス・メモリによるビッグデータの高速処理”, 応用物理学会 応用電子物性分科会, pp. 115-126, 2014年10月21日.【招待講演】
竹内健, “IoTに向けたデータ処理基盤:データセントリックコンピュータ”, CEATEC NEDOセッション, 2014年10月10日.【招待講演】
Shuhei Tanakamaru, Yuta Kitamura, Senju Yamazaki, Tsukasa Tokutomi and Ken Takeuchi, “Application-Aware Solid-State Drives (SSDs) with Adaptive Coding”, IEEE Solid-State Circuits Society (SSCS) Japan Chapter, Symposium on VLSI Circuits 報告会, 2014年7月14日.【招待講演】
宮地幸祐, 鈴木利一, 宮野信治, 竹内 健, “微細集積メモリデバイスにおける回路・システム技術による信頼性向上に関する研究”, 応用物理学会信越支部 シンポジウム, 2014年7月11日.【招待講演】
田中丸周平, 山沢裕紀, 徳冨司, 寧渉洋, 竹内健, “Hybrid Storage of ReRAM/TLC NAND Flash with RAID-5/6 for Cloud Data Centers”, ISSCC報告会, 2014年5月22日. 【招待講演】
竹内健, “プロセッシング・セントリックの時代からデータ処理・セントリックの時代へ”, LSIとシステムのワークショップ, 2014年5月27日.【パネル討論】
竹内健, “プロセッシング・セントリックの時代からデータ処理・セントリックの時代へ”, LSIとシステムのワークショップ, 2014年5月27日.【招待講演】
竹内健, “システムを構成するメモリ、システムに浸透するメモリ”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 114, no. 13, ICD2014-9, pp. 45, 2014年4月17日. 【パネル討論】
竹内健, “高速不揮発性RAMとフラッシュメモリで構成するハイブリッド・ストレージ”, 集積回路研究会, 信学技報, vol.114 , no. 13, ICD2014-1, pp. 1-1, 2014年4月17日. 【招待講演】
宮地幸祐, 藤井裕大, 上口光, 樋口和英, 孫超, 竹内健, “三次元TSV積層ReRAM/NANDフラッシュメモリハイブリッドSSDにおける不揮発メモリへの 性能要求”, 信学技報, ICD2014, 2014年4月.
宮地幸祐, 孫超, 曽我あゆみ, 竹内健, “SSDを用いたデータベースストレージシステムにおけるアプリケーション層とNANDフラッシュメモリ層の協調設計”, 信学技報, ICD2014, 2014年4月.
蜂谷尚悟, 上口光, 宮地幸祐, 竹内健, “ビッグデータ向けMLC/TLCハイブリッドストレージアレイのデータマネジメントと交換手法の提案”, 信学技報, ICD2014, 2014年4月.
山沢裕紀, 徳富司, 田中丸周平, 寧渉洋, 竹内健, “RAID-5/6構成のクラウドデータセンタ向けReRAM/TLC NANDフラッシュメモリのハイブリッドストレージ”, 信学技報, ICD2014, 2014年4月. 【依頼講演】
Sheyang Ning, Tomoko Ogura Iwasaki and Ken Takeuchi, “Verify-Program Method Investigation and Optimization on 50nm AlxOy ReRAM Array”, 応用物理学関係連合講演会, 2014年3月
Sheyang Ning, Tomoko Ogura Iwasaki and Ken Takeuchi, “Investigation of AlxOy ReRAM Cell Resistance Switch Characteristic”, 応用物理学関係連合講演会, 2014年3月
山﨑泉樹,江上徹, 上口光, 竹内健, “超格子相変化メモリのSET書き込み最適化の研究”, 応用物理学関係連合講演会, 2014年3月
徳冨司, 田中丸周平, 寧渉洋, 竹内健, “TLC NANDフラッシュメモリ向け高信頼化コントローラ技術”, 応用物理学関係連合講演会, 2014年3月
山沢裕紀, 田中丸周平, 寧渉洋, 竹内健, “抵抗変化型メモリ向け高信頼、高性能化コントローラ技術”, 応用物理学関係連合講演会, 2014年3月
土井雅史, 田中丸周平, 竹内健, “NANDフラッシュメモリ向け書き込みディスターブエラーに対する最適な非対称符号化法”, 応用物理学関係連合講演会, 2014年3月
山崎泉樹, 田中丸周平, 竹内健, “1Xnm NANDフラッシュメモリの各書き換え回数における最適な非対称符号化手法”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 113, no. 419, ICD2013-121, p. 19, 2014年1月.
徳冨司, 田中丸周平, 竹内健, “NANDフラッシュメモリ向けエラー予測LDPC符号”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 113, no. 419, ICD2013-121, p. 23, 2014年1月.
保坂翔吾, 田中丸周平, 竹内健, “NANDフラッシュメモリ/ストレージクラスメモリのハイブリッドSSDの性能評価”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 113, no. 419, ICD2013-121, p. 35, 2014年1月.
藤井達也, Tomoko Ogura Iwasaki, 竹内健, “ReRAMの抵抗値のコントロール”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 113, no. 419, ICD2013-121, p. 65, 2014年1月.
山沢裕紀, 田中丸周平, 竹内健, “抵抗変化型メモリ(ReRAM)のデータ保持特性の解析”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 113, no. 419, ICD2013-121, p. 37, 2014年1月.
北村雄太, 田中丸周平, 竹内健, “NANDフラッシュメモリの信頼性の評価”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 113, no. 419, ICD2013-121, p. 43, 2014年1月.
小名木貴裕, 孫超, 竹内健, “Hybrid SCM/NAND flash SSDのデータマネジメントアルゴリズム”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 113, no. 419, ICD2013-121, p. 49, 2014年1月.
下村和也, 寧渉洋, 竹内健, “Carbon nanotube(CNT) を用いた不揮発性メモリデ バイスの書き込み特性の検証”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 113, no. 419, ICD2013-121, p. 51, 2014年1月.
岡本峻, 藤井裕大, 宮地幸祐, 上口光, 樋口和英, 孫超, 竹内健, “データ断片化防止アルゴリズムを用いたハイブリッドSCM/MLC NANDフラッシュ SSD”, 第25回コンピュータシステム・シンポジウム (ComSys2013), 2013.
竹内健, “高速不揮発性RAMとフラッシュメモリで構成するハイブリッド・ストレージ”, 集積回路研究会, 信学技報, ICD2014, 2014年4月. 【招待講演】
竹内健, “フラッシュメモリが切り拓く新しいアプリケーション”, 舛岡富士雄先生 文化功労者ご顕彰記念 フラッシュメモリシンポジウム, 2014年3月.【招待講演】
竹内健, “ReRAM/NAND Flash Memory Hybrid Memory System for Big Data Application”, 応用物理学会, 2014年3月.【招待講演】
岡本峻, 藤井裕大, 宮地幸祐, 上口光, 樋口和英, 孫超, 竹内健, “データ断片化防止アルゴリズムを用いたハイブリッドSCM/MLC NANDフラッシュ SSD”, 第25回コンピュータシステム・シンポジウム (ComSys2013), 2013.
竹内健, “企業も個人も、分野を越境することが、生き残りの条件”, デンソー ?啄講座, 2013年12月.【招待講演】
竹内健, “IT融合に向けた次世代メモリストレージ制御技術”, 第25回コンピュータシステム・シンポジウム (ComSys2013), 2013年12月.【招待講演】
竹内健, “3次元NAND型フラッシュメモリによる大容量ストレージの構築に向けて”, Electronic Journal Technical Seminar, 2013年12月.【招待講演】
竹内健, “集積回路の未来”, 京都賞 先端技術部門 記念ワークショップ 「集積回路の発展50年とその未来 超高集積メモリ・超省電力LSIに向けて」, 2013年11月.【招待講演】
竹内健, “半導体メモリが切り拓くビッグデータのアプリケーション”, 京都賞 先端技術部門 記念ワークショップ 「集積回路の発展50年とその未来 超高集積メモリ・超省電力LSIに向けて」, 2013年11月.【招待講演】
竹内健, “日本の個性を活かし、世界で勝負するには”,   連合 技術者フォーラム, 2013年11月.【基調講演】
竹内健, “ストレージクラスメモリとフラッシュメモリが切り拓くビッグデータのサービス”, 産総研新アプリ研究会, 2013年10月.【招待講演】
竹内健, “フラッシュメモリとストレージ・クラス・メモリで構成するビッグデータ向けハイブリッド・ストレージ”, IDEMAセミナー, 2013年10月.【招待講演】
竹内健, “ストレージクラスメモリとフラッシュメモリが切り拓くリアルタイムのビッグデータのサービス”, 日経BP半導体リサーチ, 2013年8月.【招待講演】
竹内健, “「電子立国 日本の自叙伝」から20年 何が勝者と敗者を分けたのか”, BDTIセミナー, 2013年8月.【招待講演】
竹内健, “企業も個人も、 分野を越境することが、生き残りの条件”, アゴラ夏休み特別セミナー「グローバル時代の日本人」, 2013年8月.【招待講演】
竹内健, “ストレージ・クラス・メモリが実現するリアルタイム性に優れたビッグデータのサービス”, TEL Advaced Technology Forum 2013, 2013年8月.【招待講演】
竹内健, “ビッグデータに向けたストレージ・クラス・メモリとフラッシュメモリのハイブリッドSSD”, 第77回半導体・集積路技術シンポジウム, 2013年7月.【招待講演】
竹内健, “高速不揮発メモリ機能技術開発 不揮発アーキテクチャの研究開発 ReRAMとフラッシュメモリのハイブリッドストレージで電力1/10、性能11倍、信頼性7倍向上を実現”, CEATEC NEDO成果報告会, 2013
上口光, 江上徹, 竹内健, “書込みパルスダウンスロープを用いない高信頼超格子相変化メモリ”, IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) 報告会, July 2013.
宮地幸祐, 小林大介, 宮野信治, 竹内健, “40nm世代6T-SRAMにおけるパスゲートトランジスタへの非対称電荷注入によるスタティックノイズマージン改善の解析”, IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)報告会, July 2013.
竹内健, “日本のエレクトロニクスが世界で勝ち残るために”, 組込み総合技術展 関西 2013, 2013年6月.【招待講演】
Chao Sun, Hiroki Fujii, Kousuke Miyaji, Koh Johguchi, Kazuhide Higuchi and Ken Takeuchi, “High Performance and Energy-efficient Hybrid ReRAM/MLC NAND Flash SSD with Intelligent Data Management Algorithm”, Symposium on Advanced Computing Systems and Infrastructures (SACSIS), pp. 117-118, 2013年6月.
田中丸周平, 土井雅史, 竹内健, “ビッグデータ向け高信頼NANDフラッシュメモリ/ReRAM統合ストレージ”, Symposium on Advanced Computing Systems and Infrastructures (SACSIS), pp. 101-102, 2013年6月.
宮地幸祐, 上口光, 樋口和英, 竹内健, “MLC相変化メモリとNANDフラッシュメモリを用いた三次元ハイブリッドSSDのための正負温度係数を有する読み出し参照電源”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 113, no. 1, ICD2013-17, pp. 85-90, 2013年4月.
畑中輝義, 上口光, 蜂谷尚悟, 竹内健, 樋口和英, 孫超, 竹内健, “3次元積層ReRAM/NANDフラッシュメモリハイブリッドソリッド・ステート・ドライブ向けVset/reset(3V)、Vpgm(20V)生成回路の設計”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 113, no. 1, ICD2013-16, pp. 79-84, 2013年4月.
宮地幸祐, 藤井裕大, 上口光, 樋口和英, 孫超, 竹内健, “SCM及びMLC NANDフラッシュメモリを用いたハイブリッドSSDと断片化防止アルゴリズムによる性能向上”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 113, no. 1, ICD2013-15, pp. 73-78, 2013年4月.
田中丸周平, 土井雅史, 竹内健, “高信頼ビッグデータ向けフラッシュメモリ/ReRAM統合ソリッド・ステート・ストレージシステム”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 113, no. 1, ICD2013-14, pp. 67-72, 2013年4月. 【招待講演】
Shuhei Tanakamaru, Masafumi Doi and Ken Takeuchi, “Unified Solid-State-Storage Architecture with NAND Flash Memory and ReRAM that Tolerates 32× Higher BER for Big-Data Applications”, ISSCC報告会, 2013年3月.【特別講演】
竹内健, “相変化メモリを用いたメモリシステム”, 最先端研究開発支援プログラム「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」 成果報告会, 2013年3月.【招待講演】
竹内健, “相変化メモリを用いたメモリシステム”, 最先端研究開発支援プログラム「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」 成果報告会, 2013年3月.【招待講演】
宮地幸祐, 柳原裕貴, 竹内健, “BiCS型三次元積層NANDフラッシュメモリにおけるゲート長、ゲート間隔及び積層数の設計方針”, 応用物理学関係連合講演会, 28a-G9-1, 2013年3月.
田中丸周平, 土井雅史, 竹内健, “BiCS型三次元積層NANDフラッシュメモリにおけるゲート長、ゲート間隔及び積層数の設計方針”, 統合ソリッドステートストレージアーキテクチャ”, 応用物理学関係連合講演会, 28a-G9-2, 2013年3月.
土井雅史, 田中丸周平, 竹内健, “統合ソリッドステードストレージの信頼性評価”, 応用物理学関係連合講演会, 28a-G9-3, 2013年3月.
山根佳彦, 蜂谷尚悟, 田中丸周平, 竹内健, “20nm世代TLC(3bit/cell) NANDフラッシュメモリの信頼性評価”, 応用物理学関係連合講演会, 28a-G9-4, 2013年3月.
上口光, 吉岡和顕, 竹内健, “ブロック消去アーキテクチャを用いたNAND型高集積相変化メモリ”, 応用物理学関係連合講演会, 27p-PB5-12, 2013年3月
畑中輝義, 上口光, 竹内健, “3次元実装SSD用昇圧回路のEMC距離依存性評価”, 応用物理学関係連合講演会, 27p-PB5-11, 2013年3月.
蜂谷尚悟, 宮地幸祐, 上口光, 竹内健, “3次元実装ReRAM/MLC NANDハイブリッドSSDにおける、データマネジメント手法の提案と性能評価”, 集積回路研究会, 信学技報,2013年1月
竹内健, “日本の半導体・ナノ・マイクロ技術が世界で勝ち残るために”, ナノ・マイクロ ビジネス展記念講演会, 2013年1月.【特別講演】
竹内健, “ストレージクラスメモリを用いたメモリシステム”, 日本学術振興会 第131委員会・154委員会, 2013年1月.【招待講演】
竹内健, “不揮発性メモリを使いこなす~SSDからストレージ・クラス・メモリまで~”, 日経エレクトロニクス セミナー, 2012年12月.【招待講演】            
宮地幸祐, “回路系トップレベル学会を目指した体験 ~ 異分野出身を活かす ~”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 112, no. 365, ICD2012-93, pp. 139-143, 2012年12月.
平澤黎生, 宮地幸祐, 竹内健, “BiCS型立体構造NANDフラッシュメモリーにおけるゲート長、ゲート間隔及び積層数の設計指針”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 112, no. 365, ICD2012-93, p. 57, 2012年12月.
岡本峻, 宮地幸祐, 上口光, 蜂谷尚悟, 竹内健, “データ断片化防止アルゴリズムを用いた ハイブリッドReRAM/MLC NAND SSD向け評価プラットフォームの構築”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 112, no. 365, ICD2012-93, p. 55, 2012年12月.
鳥海航, 宮地幸祐, 上口光, 蜂谷尚悟, 竹内健, “トランザクションモデルベース評価プラットフォームを用いた、 3次元ReRAM/MLC NANDハイブリッドSSDの性能評価と実データパターンの解析”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 112, no. 365, ICD2012-93, p. 59, 2012年12月.
土井雅史, 田中丸周平, 竹内健, “高信頼性SSD向け非対称符号の効果の20~40nm世代の比較および符号長依存性の解析”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 112, no. 365, ICD2012-93, p. 33, 2012年12月.
小林大介, 宮地幸祐, 宮野信治, 竹内健, “局所電子注入非対称パスゲートトランジスタを有する6T-SRAMのための しきい値電圧付近ワード線電圧注入法によるしきい値電圧ばらつきの自己収束”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 112, no. 365, ICD2012-93, p. 31, 2012年12月.
江上徹, 上口光, 竹内健, “相変化メモリの環境温度依存性評価”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 112, no. 365, ICD2012-93, p. 65, 2012年12月.
Sheyang Ning, Tomoko Iwasaki, Ken Takeuchi, “3x Write and 5x Read Speed Increase for RRAM with Disturb Free Bipolar Operation”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 112, no. 365, ICD2012-93, p. 43, 2012年12月.
中島祥斗, 畑中輝義, 竹内健, “ReRAM/NANDフラッシュメモリーハイブリッド3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け、 単一インダクタ書き込み電圧(VSET/RESET、VPGM)同時生成回路”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 112, no. 365, ICD2012-93 , p. 29, 2012年12月.
Ken Takeuchi, “クラウドストレージ応用に向けたハイブリッドSSD技術,” SEMI Technology Symposium, December 2012.【招待講演】
竹内健, “日本のエレクトロニクス、個人も企業も、分野の越境が生き残りの条件”, EDSFair 2012, 2012年11月.【招待講演】
竹内健, 田中丸周平, 柳原裕貴, “SSDの現状と将来動向”, MR研究会, 信学技報, vol. 112, no. 249, MR2012-19, pp. 1-6, 2012年10月.【招待講演】
竹内健, “次世代ビックデータ処理基盤システム”, IT融合シンポジウム2012, 2012年10月.【招待講演】
竹内健, “ストレージクラスメモリを搭載したハイブリッドSSDと高信頼ECC技術”, NEテクノロジー・シンポジウム2012, 2012年10月.【招待講演】
竹内健, “ストレージクラスメモリ”, ITRSロードマップ委員会日本支部Emerging Research Devices and Emerging Research Materials Meeting, 2012年9月.【招待講演】
竹内健, “分野を越境することが、生き残りの条件 ハード・ソフト・サービスのIT融合へ”, Verify 2012, 2012年9月.【基調講演】
竹内健, “不揮発メモリの低電圧・低電力化技術”, 電通ソサイエティ大会, 2012年9月.【招待講演】
竹内健, “次世代ビックデータ処理基盤システム ハードの強みを生かしたソフト・サービスの統合システム”, JEITAマルチコア懇談会, 2012年9月【招待講演】
竹内健, “x11 Performance Increase, x6.9 Endurance Enhancement, 93% Energy Reduction of 3D TSV-Integrated Hybrid ReRAM/MLC NAND SSDs by Data Fragmentation Suppression”, IEEE Solid-State Circuits Society (SSCS) Japan Chapter, Symposium on VLSI Circuits 報告会, 2012年7月19日【招待講演】
竹内健, “SSDとストレージ・クラス・メモリを用いたメモリシステム”, 電気学会 ナノエレクトロニクス集積化・応用技術調査専門委員会, 2012年7月.
畑中輝義, 上口光, 竹内健, “3次元積層SSD向け20V昇圧回路のEMI測定と出力性能の解析”, LSIとシステムのワークショップ2012, ポスターセッション, 2012年5月.
竹内健, “国内半導体業界の行方を探る~エルピーダの教訓を生かせるか~”, 日経エレクトロニクス セミナー, 2012年5月(招待講演)
竹内健, “不揮発性メモリを使いこなす”, 日経エレクトロニクス セミナー, 2012年5月(招待講演)
宮地幸祐, 鈴木利一, 宮野信治, 竹内健, “高速、低消費電力6T-SRAMを実現する電荷の同時注入による不良セルの修復技術”, 集積回路研究会, 信学技報, vol.112, no.15, ICD2012-12, pp.61-66, 2012年4月
畑中輝義, 竹内健, “3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速、15%低消費電力Vpass(10V)、Vpgm(20V)生成電源システム”, 集積回路研究会, 信学技報, vol.112, no.15, ICD2012-8, pp.37-42, 2012年4月
田中丸周平, 柳原裕貴, 竹内健, “エラー予測LDPCとエラー回復機構により10倍の長寿命、エラーを76%削減したSSD”, 集積回路研究会, 信学技報, vol.112, no.15, ICD2012-5, pp.23-28, 2012年4月
宮地幸祐, 篠塚康大, 竹内健, “標準CMOSプロセス単体トランジスタを用いたドレイン側アシスト消去動作による局所電子注入組み込みフラッシュメモリ”, 応用物理学関係連合講演会, 16p-A1-13, 2011年3月
宮地幸祐, 矢島亮児, 畑中輝義, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “強誘電体NANDフラッシュメモリの履歴効果と高速・高信頼性SSD向けのための書き戻し消去法”, 応用物理学関係連合講演会, 16p-A1-14, 2011年3月
宮地幸祐, 洪慶麟, 竹内健, “バルクとSOI NANDフラッシュメモリセルにおける微細化による短チャネル効果と書き込み禁止時チャネル昇圧リークへの影響”, 応用物理学関係連合講演会, 16p-A1-15, 2011年3月
宮地幸祐, 篠塚康大, 宮野信治, 竹内健, “局所電子注入非対称パスゲートトランジスタを用いたSRAMにおけるVTHシフト自己収束機構としきい値電圧付近VWL注入手法”, 応用物理学関係連合講演会, 16p-A1-9, 2011年3月
樋口和英, 宮地幸祐, 上口光, 竹内健, “50nm抵抗変化型メモリにおける書き換え回数向上手法”, 応用物理学関係連合講演会, 17p-F6-5, 2010年3月
吉岡和顕, 上口光, 新谷俊通, 森川貴博, 竹内健, “温度制御による相変化メモリの低電力書込み手法”, 応用物理学関係連合講演会, 16p-A1-18, 2011年3月
上口光, 畑中輝義, 竹内健, “3次元集積SSD昇圧回路ためのクラスタ化を用いたSi貫通電極制御手法”, 応用物理学関係連合講演会, 17p-A1-16, 2011年3月
戸井田明俊, 宮地幸祐, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “ベリファイ付き1kb強誘電体NANDフラッシュメモリ”, 応用物理学関係連合講演会, 16p-A1-15, 2011年3月
柳原裕貴, 田中丸周平, 竹内健, “NANDフラッシュメモリにおけるエラー回復システム”, 応用物理学関係連合講演会, 16p-A1-16, 2011年3月
高橋光恵, ジャン シージェン, 竹内健, 酒井滋樹, “64 kb強誘電体NANDフラッシュメモリアレイの作製と評価”, ゲートスタック研究会 材料・プロセス・評価の物理(第17回研究会), 2012年1月
樋口和英, 竹内健, “50nm級抵抗変化型メモリにおける耐久性向上書き換え手法の研究”, 集積回路研究会, 信学技報, vol.111, no.352, ICD2011-116, pp.75-,80 2011年12月.
畑中輝義,竹内健, “3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速Vpass(10V)生成、 15%低消費電力Vpgm(20V)生成、ワイドレンジ電圧生成システム”, 集積回路研究会, 信学技報, vol.111, no.352, ICD2011-117, pp.81-86, 2011年12月
宮地幸祐, 洪慶麟, 竹内健, “BulkとSOI NANDフラッシュメモリセルにおける短チャネル効果とチャネル昇圧リークの微細化限界の検討”, 集積回路研究会, 信学技報, vol.111, no.281, SDM2011-125, pp.57-61, 2011年11月
竹内健, “不揮発性メモリを使いこなす”, 日経エレクトロニクス セミナー, 2011年10月(招待講演)
竹内健, “SSDにおける設計の基礎と高信頼化/高速化動向”, 2011年9月30日. Tech-Zone 研究開発支援セミナー(招待講演)
竹内健, “トランザクションレベルモデル(TLM)を活用したストレージ・クラス・メモリ開発”, シノプシス・ユーザーズ・ミーティング2011, 2011年9月7日. (招待講演)
竹内健, “3次元NANDフラッシュメモリ&SCM”, Electronic Journal 第771回 Technical Seminar, 2010年8月2日. (招待講演)
竹内健, “フラッシュメモリと抵抗変化型メモリの技術動向”, 新化学技術推進協会 (JACI) 電子情報技術部会講演会, 2011年7月21日. (招待講演)
上口光, 田中丸周平, 洪慶麟, 竹内健, “95%-lower-BER 43%-lower-power intelligent Solid-State Drive (SSD) with Asymmetric Coding and Stripe Pattern Elimination Algorithm”, ISSCC2011 報告会, 2011年5月23日. (招待講演)
宮地幸祐, 竹内健, “HyENEXSSを用いたバルクとFDSOI基板における極微細浮遊ゲート型NANDフラッシュメモリのスケーリング検討”, TCAD研究会, 2011年5月
上口光, 畑中輝義, 竹内健, “3次元積層SSDのためのプログラム電圧発生回路とTSVの検討”, LSIとシステムのワークショップ2011, ポスターセッション, 2011年5月.
田中丸周平, 洪慶麟, 竹内健, “非対称符号・ストライプパターン除去符号による高信頼・低消費電力ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)”, LSIとシステムのワークショップ2011, ポスターセッション, 2011年5月
竹内健 “不揮発性メモリを使いこなす~SSDからストレージ・クラス・メモリまで~”, 日経エレクトロニクス セミナー, 2011年4月25日. (招待講演)
宮地幸祐, 本田健太郎, 田中丸周平, 宮野信治, 竹内健, “局所電子注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクトディスターブの抑制”, 集積回路研究会, 2011年4月19日.
畑中輝義, 上口光, 石田光一, 安福正, 高宮真, 桜井貴康, 竹内健, “高速・低消費電力3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け書き込み電圧(20V)発生回路とTSVの検討”, 集積回路研究会, 2011年4月19日.
竹内健, 田中丸周平, 洪慶麟, “高信頼・低電力SSD ~ メモリコントローラによるデータ変調信号処理技術による高信頼化と低電力化 ~”, 集積回路研究会, 2011年4月19日.(招待講演)
竹内健, “SSDの信頼性と高信頼性化技術”, 超長期保管メモリ時限研究専門委員会, 2011年3月30日.(招待講演)
竹内健, “集積化MEMSとVLSI”, 応用物理学会, 2011年3月.(招待講演)
上口光, 畑中輝義, 石田光一, 安福正, 高宮真, 桜井貴康, 竹内健, “20 V 昇圧回路を用いた3次元積層SSDのためのTSVの検討”, 応用物理学会, 2011年3月.
宮地幸祐, 本田健太郎, 田中丸周平, 宮野信治, 竹内健, “局所電子注入非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクトディスターブの抑制”, 応用物理学会, 2011年3月.
宮地幸祐, 野田晋司, 畑中輝義, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “単一セル自己昇圧法による1.0V動作,書き込み速度9.3GB/sec強誘電体NANDフラッシュSSD”, 信学技報, 応用物理学会, 2011年3月.
田中丸周平, 洪慶麟, 竹内健, “高信頼、低消費電力SSDのための符号化手法”, 応用物理学会, 2011年3月.
洪慶麟, 田中丸周平, 竹内健, “NANDフラッシュメモリの信頼性測定”, 応用物理学会, 2011年3月.
福田真由美, 樋口和英, 田中丸周平, 竹内健, “コードワード可変ECCを用いた不揮発RAMとNAND型フラッシュメモリ統合ソリッドステートドライブ ~3.6倍ビットエラーレート許容、かつ97%消費電力削減可能なソリッドステートドライブの提案~”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 110, no. 380, ICD2010-139, pp. 75-80, 2011年1月21日.
竹内健, “3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)”, 集積回路研究会, , 信学技報, vol. 110, no. 380, ICD2010-132, pp. 31-36, 2011年1月20日.(招待講演)
竹内健, “強誘電体FETを用いた低電力NANDフラッシュメモリ・SRAM技術”, 「ゲートスタック研究会 材料・プロセス・評価の物理」(第16回研究会), 2011年1月22日. (招待講演)
本田健太郎, 宮地幸祐, 田中丸周平, 宮野信治, 竹内健, “電子の局所注入による非対称パスゲートアクセストランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクト問題の除去”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 110, no. 344, ICD2010-95, pp. 1-6, 2010年12月16日.
田中丸周平, 江角淳, 伊東充吉, 李凱, 竹内健, “SSD向けエラー訂正手法の比較と符号長の動的最適化手法”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 110, no. 344, ICD2010-124, pp. 147-152, 2010年12月17日.
畑中輝義, 矢島亮児, 野田晋司, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “エンタープライズSSD向け低消費電力・高信頼性強誘電体NANDフラッシュメモリー”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 110, no. 344, ICD2010-118, pp. 113-118, 2010年12月17日.
樋口和英, 福田真由美, 田中丸周平, 竹内健, “不揮発性RAM及びNANDフラッシュを用いたSSD向け高エラー率補償アーキテクチャとエラー訂正符号”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 110, no. 344, ICD2010-99, pp. 25-30, 2010年12月16日.
竹内健, “フラッシュメモリーの現状と今後の展望”, 応用物理, vol.79, no.12, pp.1065-1070, 2010年12月10日.
竹内健, “SSDの技術動向と拡大するSSD市場-SSDがもたらすメモリシステムイノベーション”, 外国系半導体商社協会(DAFS) 市場・業界及び技術動向セミナー, 2010年11月25日. (招待講演)
竹内健, “半導体産業における新ビジネス創造”, グローバルCOEシンポジウム エネルギー・環境技術を支えるセキュアライフエレクトロニクス, 2010年11月17日.
竹内健, “SSDの使いこなし方”, 日経エレクトロニクス セミナー, 2010年9月. (招待講演)
竹内健, 宮地幸祐,田中丸周平,本田健太郎,宮野信治, “極低電圧動作チャージトラップSRAM・強誘電体SRAM技術”, 応用物理学会 シンポジウム:ナノエレクトロニクス時代に向けたSRAM研究開発の最前線, 15p-ZE-8, 2010年9月15日. (招待講演)
中川隆,関谷毅,横田知之,竹内健,Zshieschang Ute,Klauk Hagen,染谷隆夫, “自己組織化単分子膜を用いた有機浮遊ゲート型メモリトランジスタの絶縁膜構造とメモリ性能”, 応用物理学会, 15p-H-11, 2010年9月15日.
本田健太郎, 宮地幸祐, 田中丸周, 宮野信治, 竹内健, “ウエハ作製後の6T-SRAMにおける電子の局所注入による非対称アクセストランジスタを用いた読み出し安定性の改善”, 応用物理学会, 17a-ZE-8, 2010年9月17日.
田中丸周平, 江角淳, 伊東充吉, 李凱, 竹内健, “高信頼性SSD向けECC符号長の動的最適化手法”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 110, no. 183, ICD2010-53, pp. 77-82, 2010年8月27日.
畑中輝義, 石田光一, 安福正, 宮本晋示, 中井弘人, 高宮真, 桜井貴康, 竹内健, “NANDチャネル数検出回路・インテリジェント書き込み電圧発生回路を備えた、 60%高速・4.2Gbps・24チャネル、3次元ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 110, no. 183, ICD2010-55, pp. 89-94, 2010年8月27日.
宮地幸祐, 田中丸周平, 本田健太郎, 宮野信治, 竹内健, “プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する 6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上”, 集積回路研究会, 信学技報, vol. 110, no. 183, ICD2010-60, pp. 115-120, 2010年8月27日.
宮地幸祐, 野田晋司, 畑中輝義, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “単一セル自己昇圧法による10V動作,書き込み速度9.5GB/sec強誘電体NANDフラッシュSSD”, 信学技報, vol. 110, no. 183, ICD2010-54, pp. 83-88, 2010年8月27日.
竹内健, “デジタルLSI の技術動向 - メモリ技術”, 電子情報通信学会 集積回路研究会 サマースクール, 2010年8月. (招待講演)
竹内健, “グリーンITを目指した極低電力NANDフラッシュメモリ・SRAM”, 電気化学会 第74回半導体・集積回路技術シンポジウム, , pp.-, 2010年7月9日. (招待講演)
宮地幸祐, 田中丸周平, 本田健太郎, 宮野信治, 竹内健, “作製後における電子局在注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上” , 電子情報学会 集積回路研究会, 信学技報, vol. 110, no. 90, SDM2010-44, pp. 61-65, 2010年6月22日.
竹内健, “ナノスケールメモリLSI:材料・デバイス・回路・システムを総動員し微細化を極限まで延命する”, VDECデザイナーフォーラム, 2010年6月. (招待講演)
竹内健, “ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)の高信頼性化技術(High Reliability Technologies of Solid-State Drives (SSD))”, 信頼性, vol. 32, no.3, pp. 156-161 , 2010年5月号.
竹内健, “フラッシュメモリ/SSDの技術動向”, Electronic Journal 第491回 Technical Seminar, フラッシュメモリ/SSD技術・市場・業界動向, 2010年4月. (招待講演)
田中丸周平, 畑中輝義, 矢島亮児, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン(SNM)増加, 32%アクティブ電力削減, 42%リーク電流削減の強誘電体FETを使用した6T-SRAM”, 電子情報通信学会 集積回路研究会, 信学技報, vol. 110, no. 9, ICD2010-5, pp.23 -28, 2010年4月22日.
畑中輝義, 矢島亮児, 堀内健史, Shouyu Wang, Xizhen Zhang, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “データセンター用SSD向けFerroelectric(Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ”, 電子情報通信学会 集積回路研究会, 信学技報, vol. 110, no. 9, ICD2010-11, pp. 59-64, 2010年4月23日(招待講演).
竹内健, “低電力SSD/強誘電体メモリ技術”, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 Siナノテクロノジー研究委員会「シリコンプラットフォームテクノロジ」, 2010年3月. (招待講演).
中川隆,横田知之,関谷毅,竹内健,Ute Zschieschang,Hagen Klauk,染谷隆夫, “自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いた有機浮遊ゲート型メモリトランジスタの閾値制御”, 応用物理学関係連合講演会, 18p-ZM-3, 2010年3月.
横田知之,関谷毅,中川隆,竹内健,Hagen Klauk,Ute Zschieschang,高宮真,桜井貴康,染谷隆夫, “自己組織化単分子膜を用いた有機不揮発性メモリトランジスタの作製”, 応用物理学関係連合講演会, 18p-ZM-2, 2010年3月.
竹内健, “グリーンITを目指した極低電力NANDフラッシュメモリ・SRAM”, 電気化学会 第74回半導体・集積回路技術シンポジウム, 2010年7月(招待講演)
竹内健, “ナノスケールメモリLSI:材料・デバイス・回路・システムを総動員し微細化を極限まで延命する”, VDECデザイナーフォーラム, 2010年6月.(招待講演)
竹内健, “フラッシュメモリ/SSDの技術動向”, Electronic Journal 第491回 Technical Seminar, フラッシュメモリ/SSD技術・市場・業界動向, 2010年4月. (招待講演)
田中丸周平, 畑中輝義, 矢島亮児, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン(SNM)増加, 32%アクティブ電力削減, 42%リーク電流削減の強誘電体FETを使用した6T-SRAM”, 電子情報通信学会 集積回路研究会, 信学技報, 2010年4月.
畑中輝義, 矢島亮児, 堀内健史, Shouyu Wang, Xizhen Zhang, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “データセンター用SSD向けFerroelectric(Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ”, 電子情報通信学会 集積回路研究会, 信学技報, 2010年4月(招待講演).
竹内健, “低電力SSD/強誘電体メモリ技術”, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 Siナノテクロノジー研究委員会「シリコンプラットフォームテクノロジ」, 2010年3月. (招待講演).
矢島亮児, 畑中輝義, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “Fe(Ferroelectric)-NAND フラッシュメモリの負電圧ステップダウン消去法”, 応用物理学関係連合講演会, 17p-B-4, 2010年3月.
野田晋司, 畑中輝義, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “Ferroelectric-NAND フラッシュメモリ向け1.2V 動作アダプティブチャージポンプ”, 応用物理学関係連合講演会, 17p-B-5, 2010年3月.
田中丸周平, 畑中輝義, 矢島亮児, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “0.5V 動作強誘電体6T-SRAM”, 応用物理学関係連合講演会, 17p-B-6, 2010年3月.
畑中輝義, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “Zero VTH Ferroelectric(Fe)-NAND Flash Memory Cellよるリードディスターブ特性、 プログラムディスターブ特性、およびデータ保持特性の改善”, 応用物理学関係連合講演会, 17p-B-3, 2010年3月.
竹内健, “SSDの使いこなし方”, 日経エレクトロニクス セミナー, 2010年3月. (招待講演)
竹内健, “新材料・デバイス・回路・システムを総動員してLSIの微細化限界に挑む”, 広島大学エレクトロニクスセミナ, 2010年3月. (招待講演)
竹内健, “データセンター向け高信頼・低電力強誘電体NANDフラッシュメモリ技術”, 技術情報協会, 2010年2月. (招待講演)
田中丸周平, 畑中輝義, 矢島亮児, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “0.5V動作, しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン増加, 32%アクティブ電力削減, 42%リーク電流削減の強誘電体6T-SRAM”, 電子情報通信学会SDM 研究会・応物シリコンテクノロジー分科会ULSIデバイス委員会共催IEDM特集講演会, 信学技報, 2010年1月.
中川隆, 横田知之, 関谷毅, 竹内健, Ute Zschieschang, Hagen Klauk, 染谷隆夫, “自己組織化単分子膜を用いた有機不揮発性メモリの作製と閾値制御”, 信学技報, vol. 109, no. 359, OME2009-67, pp. 7-11, 2010年1月.
竹内健, “システム化するNANDフラッシュメモリ”, 産業技術総合研究所 エレクトロニクスフォーラム, 2009年12月15日. (招待講演)
安福正, 石田光一, 高宮真, 桜井貴康, 竹内健, “3次元SSD用20Vブーストコンバータ向けのインダクタ設計 (Inductor Design of 20-V Boost Converter for Low Power 3D Solid State Drive)”, 電子情報通信学会 集積回路研究会, 信学技報, vol. 109, no. 336, ICD2009-103, pp.151-156, 2009年12月.
竹内健, “グリーンITを目指した低電力3次元積層SSD技術”, Electronic Journal 第224回 Technical Symposium・フラッシュメモリ/SSD徹底検証, 2009年11月26日. (基調講演・招待講演)
竹内健, “Ferroelectric-gate FET for Flash Memory & SRAM application,” ITRSロードマップ委員会日本支部Emerging Research Devices and Emerging Research Materials Meeting, 2009年11月(招待講演)
矢島亮児, 畑中輝義, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “データセンター用SSD向け不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ(2)”, 電子情報通信学会 ソサイエティ大会, エレクトロニクス講演論文集2, pp. 69, 2009年9月.
野田晋司, 矢島亮児, 畑中輝義, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “データセンター用SSD向け不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ(1)”, 電子情報通信学会 ソサイエティ大会, エレクトロニクス講演論文集2, pp. 68, 2009年9月.
竹内健, “新世代ストレージ SSDを使いこなすための基礎と応用”, 日経エレクトロニクス セミナー, 2009年7月. (招待講演)
矢島亮児, 畑中輝義, 高橋光恵, 酒井滋樹, 竹内健, “データセンター用SSD向け不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ”, 電子情報通信学会 集積回路研究会, 信学技報, vol.109, no.134, ICD2009-20, pp.39-44, 2009年7月.
田中丸周平, 竹内健, “0.5V動作DRAM用60pJ, 立ち上がり時間3クロック, しきい値電圧ロス補償ワード線昇圧回路”, 電子情報通信学会 集積回路研究会, 信学技報, vol.109, no.134, ICD2009-19, pp.33-38, 2009年7月.
畑中輝義, “LSIの研究を始める第一歩 - 設計環境の構築”, VDECデザイナーズフォーラム, 2009年6月. (招待講演)
安福正, 石田光一, 宮本晋示, 中井弘人, 高宮真, 桜井貴康, 竹内健, “三次元積層NAND型フラッシュSSD向けプログラム電圧(20V)生成回路”, システムLSIワークショップ, ポスターセッション 学生部門27, pp. 262-264, 2009年5月.
安福正, 石田光一, 高宮真, 桜井貴康, 竹内健, “三次元SSDの低電力化技術とSSD 向けプログラム電圧(20V)生成回路”, 電子情報通信学会 集積回路研究会, 信学技報, vol. 109, no. 2, ICD2009-10, pp. 47-52, 2009年4月(招待講演).
畑中輝義, 酒井滋樹, 高橋光恵, 堀内健史, 竹内健, “Ferroelectric(Fe)-NANDフラッシュメモリにおけるプログラムディスターブ特性”, 応用物理学関係連合講演会, 2009年3月.
安福正, 石田光一, 高宮真, 桜井貴康, 竹内健, “NAND型フラッシュSSD向け20Vブーストコンバータの制御方式(その2) (A Control Method of 20V Boost Converter for NAND Flash SSD)”, 電子情報通信学会総合大会, C-12-21, 2009年3月.
石田光一, 安福正, 高宮真, 桜井貴康, 竹内健, “NAND型フラッシュSSD向け20Vブーストコンバータの制御方式(その1) (A Control Method of 20V Boost Converter for NAND Flash SSD)”, 電子情報通信学会総合大会, C-12-20, 2009年3月.
竹内健, “不揮発性機能デバイスと新アプリケーション”, 新機能素子研究開発協会 新機能トランジスタ調査委員会, 2009年2月18日. (招待講演)
竹内健, “使い手のためのSSDのすべて”, 日経エレクトロニクス メモリ・システム・シンポジウム・モバイル新時代に向けたメモリ技術総覧, 2008年12月9日. (招待講演)
竹内健, “VLSI回路設計手法とMEMSモデリング”, 第7回ファインMEMSシステム化設計プラットフォーム検討委員会, 2008年12月3日(招待講演)
竹内健, “VLSI回路設計手法とMEMSモデリング”, 電気等価回路から考えるMEMS設計手法研究会, 2008年11月. (招待講演)
竹内健, “HDDの代替を目指すフラッシュメモリの現状と課題”, Electronic Journal 第192回 Technical Symposium・フラッシュメモリ/SSD徹底検証, 2008年11月26日. (基調講演・招待講演)
竹内健, “SSDがもたらすメモリシステムの革新とPost NANDフラッシュメモリの技術動向”, JEITAナノエレクトロニクス技術分科会, 2008年11月12日. (招待講演)
竹内健, “フラッシュメモリの最新技術動向 - SSDへの応用”, 情報処理, vol.49, no.9, pp.1090-1098, 2008.
竹内健, “SSD動向とNANDフラッシュメモリ”, 電子情報通信学会 集積回路研究会, 信学技報, vol. 108, no. 6, ICD2008-6, pp. 31-36, 2008年4月. (招待講演)
石田光一, 安福正, 高宮真, 竹内健, 桜井貴康, “オンチップ昇圧向けブーストコンバータにおけるMOSダイオード損失の検討 (An Investigation on Diode Loss in On-chip Boost Converter)”, 電子情報通信学会総合大会, C-12-33, 2008年3月.
安福正, 石田光一, 高宮真, 竹内健, 桜井貴康, “オンチップ昇圧向けブーストコンバータにおけるインダクタの寄生抵抗の影響 (Influence of Parasitic Resistance of Inductors in Boost Converters)”, 電子情報通信学会総合大会, C-12-32, 2008年3月.

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