中央大学 理工学部 電気電子情報通信工学科
 中央大学 大学院理工学研究科 電気電子情報通信工学専攻 竹内研究室

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“さぴあ子育てインタビュー グローバル化・高度情報化時代に求められる能力と教育のあり方,” さぴあ, 2015年5月号.
“「コンピューティング技術は歴史的転換点にある」、中央大の竹内氏,” 日経テクノロジー online, 2015年3月17日.
“中央大、SSDの処理速度を6倍に高速化する技術開発-読み出しレベル調整,” 日刊工業新聞, 2015年2月26日.
“リアルタイムデータ処理に向けた高速・高信頼のSSD、中央大が開発,” 日経テクノロジー online, 2015年2月25日.
“「電車じゃない。ディーゼルカーだ」と訂正しない時代へ,” 日経テクノロジー online, 2015年1月29日.
“『専門バカ』は困るが、『専門もバカ』はもっと困る,” 日経テクノロジー online, 2015年1月8日 朝刊.
“子供に端末与える前に教育を,” 朝日新聞, 2014年11月12日 朝刊.
“ノーベル賞受賞 “科学技術立国”ニッポンの未来は?,” NHK 週刊 ニュース深読み, 2014年10月18日.
“長期データ保存,” 日経ヴェリタス, 2014年8月31日.
“「NRAM」、万能なメモリー特性を実証,” 日経エレクトロニクス, 2014年7月7日.
“中央大、SSDのエラーを80%減らす技術開発,” 日刊工業新聞, 2014年6月18日.
“カーボンナノチューブ応用 高速メモリー・触媒にも 中央大や東工大から成果,” 日経産業新聞, 2014年6月18日.
“中央大、1000年先までデータ保存 半導体メモリー新方式,” 日本経済新聞, 2014年6月17日.
“デジタルデータの長期保存へ道 1000年記憶を目指してSSDのエラーを80%低減,” 朝日新聞デジタル, 2014年6月13日.
“中央大、ハイブリッドSSD向け誤り訂正機能開発-エラー80%削減,” 日刊工業新聞, 2014年2月19日.
“ISSCC 2014 - 中大など、高速SSD技術と高速車載ネットワーク技術を開発,” マイナビニュース, 2014年2月.
“中央大学、ReRAM/NANDハイブリッド・ストレージの信頼性を高めるコントローラ技術を開発,” 日経Tech-On, 2014年2月.
“【SSDM】ビッグデータ解析用にSSDを高速・低電力化する技術、中央大学が開発,” 日経BP半導体リサーチ, 2013年9月.
“メーカー復活で浮き彫りになる「潰しの利かない人」は、これから何をすべきか? 【対談:New Order-松井 博×竹内 健】,” エンジニアtype, 2013年5月27日.
“「どんな会社に入るか」 ではなく、変化に応じて自分が変われるかが重要――中央大学 竹内健教授,” MONOist, 2013年5月.
“「死んでたまるか! 日本の電機」 インタビュー記事「甦れニッポン! 私の電機再生策」,” 東洋経済, 2013年4月22日.
“ISSCC 2013 - 中大、高信頼性のフラッシュ/ReRAMストレージシステムを開発,” マイナビニュース, 2013年2月.
“中央大学、ReRAMとフラッシュを統合した高信頼ストレージ技術を開発,” 日経コンピュータ, 2013年2月.
“【ISSCC】信頼性を従来比32倍に改善できるNAND/ReRAM統合ストレージ・システム、中央大学が開発,” 日経エレクトロニクス, 2013年2月.
“半導体とともに 未知の世界へ跳び続けて,” JEITA 半導体の大冒険, 2013年1月.
“生き残るのは「越境者」,” 日経エレクトロニクス, 2013年1月.
“「エルピーダ倒産、円高のせいではない」中央大・竹内健氏@ナノ・マイクロビジネス展記念講演会,” SJNニュース, 2013年1月.
“エンジニアインターン 中央大学理工学部 電気電子情報通信工学科 教授 竹内健さんインタビュー,” エンジニアインターン, 2013年1月.
““第3のメモリー” の衝撃 ストレージとDBが一変する,” 日経コンピュータ, 2012年12月20日号 no.824, 2012年12月.
“「どんな会社に入るか」ではなく、変化に応じて自分が変われるかが重要,” 理系ナビ(2012冬号/メーカー・IT特集), 2012年12月.
“【ISSCCプレビュー】メモリ:ReRAMが32Gビットに飛躍、SRAMは20nmの最小セル面積品が登場,” 日経エレクトロニクス, 2012年12月.
“30歳キャリア官僚が最後にどうしても伝えたいこと 第4回 安易な天下り全廃がもたらす悲劇 組織を離れたOBのあるべき姿とは,” ダイヤモンド・オンライン, 2012年12月.
“30歳キャリア官僚が最後にどうしても伝えたいこと 第3回 報道機関の情報だけに頼る時代の終わり SNSが隆盛を迎えたメディアのこれから,” ダイヤモンド・オンライン, 2012年11月.
“30歳キャリア官僚が最後にどうしても伝えたいこと 第2回 外資系企業に転職するエース級官僚たち 民主党政権に若手職員が失望する理由,” ダイヤモンド・オンライン, 2012年11月.
“30歳キャリア官僚が最後にどうしても伝えたいこと 第1回 役所は「ドリフ」から「ひょうきん族」に 官民共同のために技術よりも大切なこと,” ダイヤモンド・オンライン, 2012年11月.
“Verify2012基調講演:分野を越境することが、生き残りの条件 ハード・ソフト・サービスのIT融合へ、 中央大学竹内健教授,” EDA EXPRESS, 2012年9月.
“ハイブリッドSSD,” 日経エレクトロニクス, 2012年9月.
“SSDのコストを1/7に、ReRAM活用の新技術,” EE Times Japan, 2012年8月.
“中大竹内教授、ESLを駆使してハイブリッドSSDアーキテクチャとメモリ制御システムを開発,” EDA EXPRESS, 2012年8月.
“組織の壁、実力の壁、言葉の壁――“壁”を突破し続ける思考が世界を広げる,” 日本の人事部, 2012年7月.
“海外から見た! ニッポン人エンジニア,” @IT自分戦略研究所, 2012年7月.
“東大 2013―現役東大生による東京大学情報本 東大1461DAYS (現役東大生による東京大学情報本サクセスシリーズ),” 東大2013, 2012年7月.
“竹内健教授 新型ハイブリッドSSD開発,” 中央大学新聞, 2012年7月号.
“理工学部教授 竹内 健がReRAMとフラッシュメモリのハイブリッドSSDなどを開発しました,” 中央大学ニュース, 2012年6月.
“性能11倍、電力93%減、寿命7倍のハイブリッドSSD技術を中央大学の竹内教授らが開発,” 日経エレクトロニクス, 2012年6月.
“データセンター用SSDのコストが1/7に、ReRAM活用の新技術を中央大が開発,” EE Times Japan, 2012年6月.
“VLSIシンポ2012/中央大、ReRAMと大容量メモリー積層したSSD開発,” 日刊工業新聞, 2012年6月15日.
“立体半導体、試作段階に,” 日経産業新聞, 2012年6月19日.
“立体半導体 相次ぎ成果,” 日本経済新聞, 2012年6月12日.
“性能11倍、電力93%減、寿命7倍のハイブリッドSSD技術 中央大学の竹内教授らが開発,” 日本経済新聞, 2012年6月.
“メーカー大リストラは他人事じゃない!竹内健氏、吉岡弘隆氏に聞く「生き残る技術者」とは,” エンジニアtype, 2012年5月.
“高集積のNAND型相変化メモリを中央大学の竹内教授らが提案、3次元メモリへの適用を視野,” 日経エレクトロニクス, 2012年5月.
“「3次元NANDフラッシュといえども、スケーリングが必須」、中央大学の竹内教授らが指摘,” 日経エレクトロニクス, 2012年5月.
“エンジニアは会社よりも自分のことを考えよう! 第4回 エンジニアも研究者も生存能力を身につけよう,” ダイヤモンド・オンライン, 2012年5月.
“エンジニアは会社よりも自分のことを考えよう! 第3回 工場を日本に残す意味はホントにあるの?,” ダイヤモンド・オンライン, 2012年5月.
“本の時間 著者インタビュー 『世界で勝負する仕事術』,” プレジデント, 2012年5月14日号.
“エンジニアは会社よりも自分のことを考えよう! 第4回 エンジニアも研究者も生存能力を身につけよう,” ダイヤモンド・オンライン, 2012年5月.
“エンジニアは会社よりも自分のことを考えよう! 第3回 工場を日本に残す意味はホントにあるの?,” ダイヤモンド・オンライン, 2012年5月.
“エンジニアは会社よりも自分のことを考えよう! 第2回 エンジニアはこれからどのように生きるべきか?,” ダイヤモンド・オンライン, 2012年4月.
“エンジニアは会社よりも自分のことを考えよう! 第1回 沈みゆく会社から、なぜエンジニアは逃げ出さないのか?,” ダイヤモンド・オンライン, 2012年4月.
““異色のエンジニア” 竹内 健氏 ロングインタビュー (2) エンジニアは好きなことだけやってる? そんなのウソです,” EE Times Japan, 2012年4月.
““異色のエンジニア” 竹内 健氏 ロングインタビュー (1) エンジニアは好きなことだけやってる? そんなのウソです,” EE Times Japan, 2012年4月.
“半導体 危機の連鎖!,” 東洋経済, 2012年4月21日号.
“技術者として世界で勝負した半生 『世界で勝負する仕事術』,” 日経ウーマン, 2012年4月.
“『世界で勝負する仕事術』竹内健 世界で勝てるマインドとは?,” ビジネスブックマラソン, 2012年4月.
“インタビュー/東大大学院工学系研究科・竹内健准教授 “統合制御”技術がカギ,” 日刊工業新聞, 2012年4月3日.
“ワイヤレスSSDに関する3つの革新的技術を開発「128ギガビット以上」の大容量メモリー製作も可能に!,” JSTニュース, vol. 9, no. 1, p. 4, 2012年4月号.
“ワイヤレスSSDの実現に向けた技術 東大と慶応大が「ISSCC2012」で発表,” 日経エレクトロニクス, 2012年3月.
“エンジニアも「個」の時代 - 『世界で勝負する仕事術』,” 池田信夫, アゴラ 言論プラットフォーム, 2012年3月.
“エンジニア人生のリアル,” Chikirinの日記, 2012年3月.
“内向き志向では生き抜けない 外の世界に目を向けよう 世界で勝負する仕事術,” 日経エレクトロニクス, 2012年3月.
“次世代不揮発性メモリ「ReRAM」って何だ?,” キーマンズネット, 2012年3月.
“本よみうり堂 著者来店 「世界で勝負する仕事術」竹内健さん 異色の技術者が提言,” 読売新聞, 2012年2月26日朝刊.
“世界で勝負する仕事術 竹内健著 先端技術者の率直な職場論,” 日本経済新聞, 2012年2月22日夕刊.
“世界で勝負する仕事術~最先端ITに挑むエンジニアの激走記,” サイエンスポータル, 2012年2月.
“ISSCC: Pictures from a silicon exhibition,” EE Times, 2012年2月.
“New Technologies Expected to Realize Wireless SSD's,” EESAGE, 2012年2月.
“ISSCC from a memory analyst's view,” Solid State Technology, 2012年2月.
“ワイヤレスSSDメモリー 毎秒7ギガビットの最速 東大が基本技術開発,” 日刊工業新聞, 2012年2月.
“東大竹内研、SSDの寿命を10倍以上向上させるエラー訂正技術を開発 2/22 ISSCCで論文発表,” EDAエクスプレス, 2012年2月.
“【ISSCC】高性能SRAMセッションは大会場が満員、アシスト技術や新技術で6トラ構成のまま大容量化,” 日経エレクトロニクス, 2012年2月.
“【ISSCC】SRAMの不良セルをテスト工程でピンポイントで修復する手法,東大とSTARCが開発,” 日経エレクトロニクス, 2012年2月.
“【ISSCC】東京大学と慶応義塾大学、ワイヤレスSSDの実現につながる三つの技術を開発,” 日経エレクトロニクス, 2012年2月.
“SSDをワイヤレス/バッテリフリーに、東大と慶応大が新技術で狙う,” EE Times Japan, 2012年2月.
“ISSCC 2012 - 東大など、固体記憶媒体SSDメモリに関する3つの技術を開発,” マイナビニュース, 2012年2月.
“ReRAM prototype achieves 64Mb memory array operation,” newelectronics, 2012年1月.
“Elpida Shows Off Resistance RAM Prototype. Elpida Demos 64Mb ReRAM Prototype,” Xbit laboratories, 2012年1月.
“Elpida develops ReRAM and plans to sample in 2013,” Semiconportal, 2012年1月.
“Elpida Touts ReRAM As Possible DRAM Replacement. ReRAM, a new memory chip prototype, has been developed to be fast as DRAM but able to retain data when power is cut,” Tech Week, 2012年1月.
“Elpida takes ReRAM to prime time. Expects to have Gigabit chips ready by next year,” SemiAccurate, 2012年1月.
“Elpida unveils ReRAM prototype,” bit-tech, 2012年1月.
“Elpida creates ReRAM prototype,” TechEYE, 2012年1月.
“Elpida makes ReRAM prototype,” Tans Computer, 2012年1月.
“ReRAM competes to be tech's next memory chip standard,” BBC News, 2012年1月.
“エルピーダ、新たな不揮発性メモリ「ReRAM」の開発に成功,” 財経新聞, 2012年1月.
“エルピーダが64MビットReRAMを開発、2013年に8Gビット品を製品化,” 日経エレクトロニクス, 2012年1月.
“エルピーダ、新メモリ「ReRAM」を開発 高速で不揮発性,” IT Mediaニュース, 2012年1月.
“エルピーダが次世代メモリー開発,” SankeiBiz, 2012年1月.
“エルピーダ、次世代メモリーの量産視野=来年にもギガ級で,” 時事通信, 2012年1月.
“エルピーダ、抵抗変化型メモリー開発-64メガビットでセル動作確認,” 朝日新聞, 2012年1月.
“エルピーダ、64MbitのReRAMの開発に成功 ~シャープ、東大、産総研との共同開発,” PC Watch, 2012年1月.
“エルピーダ、新しい半導体メモリー「ReRAM」開発 情報が消えず高速大容量,” 産経新聞, 2012年1月.
“エルピーダ、ReRAMを開発 - 64Mビットメモリセルアレイ動作を確認,” マイナビニュース, 2012年1月.
“エルピーダメモリなど、新メモリ(高速不揮発性抵抗変化型メモリ、ReRAM)の開発に成功,” 日本経済新聞, 2012年1月.
“東大竹内氏、Flashより2ケタ速いStorage Class Memoryを3年以内に実現-JSNUG2011,” EDAエクスプレス, 2012年1月.
“「ばたつく相手でも大丈夫です」、高速負荷応答の非接触充電技術が開発,” EE Times Japan, 2011年11月.
“産総研、64kビット強誘電体NAND型フラッシュメモリアレイを作製,” マイコミジャーナル, 2011年9月.
“産総研、東大と共同で強誘電体NANDフラッシュメモリーの64キロビットメモリーアレイを開発,” 日本経済新聞, 2011年9月.
“東大の竹内研、50nm級の先端ReRAMのセル信頼性を50倍に向上,” 日経エレクトロニクス, 2011年9月.
“「NANDは8nm世代まで微細化できる」、SOI基板を用いる延命手法を東大が提案,” 日経エレクトロニクス, 2011年9月.
“標準CMOSプロセスだけで不揮発性メモリを実現する技術、東京大学 竹内研が開発,” 日経エレクトロニクス, 2011年9月.
“3次元SSDの書き込み性能を4倍に、東大の竹内研が新電圧生成システム開発,” 日経エレクトロニクス, 2011年6月.
“ISSCC NANDの32G~64Gビット品が量産レベルに,新メモリの発表も相次ぐ,” 日経エレクトロニクス, 2011年2月.
“エラーを大幅削減 世界最速のSSDメモリー,” 日本情報産業新聞 朝刊2面, 2011年2月.
“非接触型SSDメモリー新技術 エラーを95%削減 43%低電力化,” 電波新聞 朝刊4面, 2011年2月.
“記憶装置SSD エラーを95%減少 東大慶大 12ギガビットで消費電力半減,” 日刊工業新聞 朝刊23面, 2011年2月.
“高速データ通信 非接触機器、毎秒12ギガで メモリーカード応用,” 日経産業新聞 朝刊10面, 2011年2月.
“ISSCC SSDの動作信頼性を95%高め,書き込み電力を43%削減するデータ変調技術, 東京大学などが開発,” 日経エレクトロニクス, 2011年2月.
“ISSCC 2011 - 東大ら、SSDの高信頼化と非接触高速インタフェース技術を開発,” マイコミジャーナル, 2011年2月.
“飛躍的にエラーを削減するSSDメモリを開発,” 日本経済新聞, 2011年2月.
“半導体研究 医療向け加速,” 日本経済新聞, 2011年2月.
“NANDフラッシュ・メモリの将来は?,” 日経エレクトロニクス, 2011年2月.
“半導体ストレージ 迫る主役交代,” 日経エレクトロニクス, 2011年2月.
“ISSCC2011プレビュー NANDは20nm世代で64Gビットに到達 超高速ReRAMや高信頼のSSDにも注目,” 日経エレクトロニクス, 2011年1月.
“東京大学,ReRAMの研究開発向けにDOCEAのESL消費電力/熱解析ツールを導入,” 日経エレクトロニクス, 2011年1月.
“Tokyo University uses Docea's Aceplorer for NVM design,” EE Times, 2011年1月.
“外向き志向 メモリー研究 世界一へ,” 朝日新聞, 2011年1月.
“まだまだ続く半導体技術革新,” 日経エレクトロニクス, 2010年11月.
“SSDの消費電力を97%減,ReRAMをキャッシュに利用 エルピーダメモリと東大などの新メモリ開発が始動,” 日経エレクトロニクス, 2010年10月.
“エルピーダとシャープ、次世代メモリ共同開発,” ITmedia, 2010年10月.
“Elpida, Sharp to co-develop next-gen memory chip,” Reuters, 2010年10月.
“エルピーダなど次世代メモリー開発,” 産経新聞, 2010年10月.
“エルピーダ、シャープや東大らと次世代メモリー開発,” 産経新聞, 2010年10月.
“エルピーダやシャープなどのReRAM、DRAMとフラッシュの性能差を埋める,” 日本経済新聞, 2010年10月.
“エルピーダとシャープ、次世代メモリー共同開発 13年めど実用化 省電力、処理速く,” 日本経済新聞, 2010年10月.
“ReRAMバッファを備えるSSD向けのECC技術,東京大学が開発,” 日経エレクトロニクス, 2010年9月.
“東大最前線 フラッシュメモリー 竹内健准教授(工学系研究科),” 東京大学新聞, 2010年8月.
“メモリー、消費電力抑え高速化、エルピーダなど開発着手,” 日本経済新聞, 2010年7月.
“日の丸半導体 省エネ勝負 消費電力10分の1 NEDO開発へ,” 産経新聞, 2010年7月.
“省エネ携帯開発へ 消費電力を10分の1に NEDO,” 産経新聞, 2010年7月.
“NEDO、新型メモリー開発プロ始動-消費電力10分の1に,” 日刊工業新聞, 2010年7月.
“FPGAやメモリ,さらにSSD,3次元化に沸くLSI開発VLSI Symposia詳報,” 日経エレクトロニクス, 2010年7月.
“機器の省エネを加速する,0.5V駆動のLSIに道 コストを増やさずSRAMの動作安定性を高める,” 日経エレクトロニクス, 2010年7月.
“東大と慶大、毎秒6ギガビットでデータ伝送する非接触メモリーカード開発,” 朝日新聞, 2010年6月.
“非接触メモリーカード 毎秒6ギガビットでデータ伝送 東大と慶大など開発,” 日刊工業新聞, 2010年6月.
“JSTと東大と慶大、毎秒ギガビットを超える非接触メモリカードを開発,” 日本経済新聞, 2010年6月.
“"SSDの書き込み速度を4.2Gビット/秒へ高める電源技術,", 東大などが開発” 日経エレクトロニクス, 2010年6月.
“東大、集積回路の0.5V動作に向けた低コストSRAM技術を開発,” マイコミジャーナル, 2010年6月.
“東大が新技術 集積回路、0.5ボルトで動作 消費電力10分の1に,” 日刊工業新聞, 2010年6月.
“東大、集積回路の0.5V動作に向けた低コストSRAM技術を開発,” 日本経済新聞, 2010年6月.
“SRAMの製造バラつき耐性をテスト工程で高める手法、東大とSTARCが開発,” 日本経済新聞, 2010年6月.
“SRAMのばらつきを「見える化」する観測技術が続出,しきい値電圧を製造後に適正化する技術も,” 日経エレクトロニクス, 2010年6月.
“SRAMの製造バラつき耐性をテスト工程で高める手法,東大とSTARCが開発,” 日経エレクトロニクス, 2010年6月.
“誤り訂正強度を状況に合わせる手法提案,” EE Times Japan, 2010年6月.
“強誘電体NANDの電源を大幅に下げる、次世代SSDの可能性を開く新技術,” EE Times Japan, 2010年6月.
“NANDの信頼性を10倍以上に高める誤り訂正技術,東大らが開発,” 日経エレクトロニクス, 2010年5月.
“10Gバイト/秒で書き込めるSSDに道,東大らが1V駆動のNANDを開発,” 日経エレクトロニクス, 2010年5月.
“6月にハワイで開催するLSI回路技術の国際会議「VLSI Circuitsシンポ」の注目論文, 13件を一挙紹介,” 日経エレクトロニクス, 2010年5月.
“微細化の限界に挑む、Si材料と新材料の融合で新たな展望も,” EE Times Japan, 2010年3月.
“ISSCC2010, DRAMとNANDフラッシュ分野,一見「地味」でも実用的な重要技術が数多く登場,” 日経エレクトロニクス, 2010年2月.
“東芝から東京大学に転じた半導体技術者の活躍ぶり,” 日経エレクトロニクス, 2010年1月.
“IEDM 2009:量産始まる32nm SoC技術、0.5V動作SRAMなどに注目,” 日経エレクトロニクス, 2010年1月.
“強誘電体SRAMやスピンMOS FETが開発、新材料や新機構で微細化限界打ち破る,” EE Times Japan, 2009年12月.
“0.5Vで動作するSRAM,東京大学らが強誘電体FETで実現,” 日経エレクトロニクス, 2009年12月.
“SSDの国家プロジェクトがスタート,10Gビット/秒の超高速無線通信技術を採用,” 日経エレクトロニクス, 2009年10月.
“微細化追求で性能が劣化、新デバイスに商機,” 日経マイクロデバイス, 2009年9月.
“NAND型フラッシュ テラビットへのシナリオ,” 日経マイクロデバイス, 2009年8月.
“不揮発メモリーが咲き誇る、VLSI 2009が開催,” EE Times Japan,, 2009年7月.
“NANDフラッシュもアプリケーションを強く意識して開発する流れに,” 日経エレクトロニクス, 2009年7月.
“データ・センター向けのSSD、東大らが書き込み性能を2倍、書き込み中の電源遮断にも対策,” 日経エレクトロニクス, 2009年6月.
“強誘電体NANDフラッシュメモリー SSD書き込み高速化 東大・産総研共同開発,” 日刊工業新聞, 2009年6月.
“竹内准教授ら メモリー 性能劣化防ぐ データセンターに応用,” 東京大学新聞, 2009年6月.
“SSDの高速化,ノーマリーオフ・システムを狙った新原理不揮発メモリに注目,” 日経エレクトロニクス, 2009年6月.
“東京大学、SSDのランダム書き込みを2倍に高速化、データ・センターなどに向ける,” 日経エレクトロニクス, 2009年6月.
“SSDの高スループットと低コストを両立させる強誘電体バッファ,” PC Watch, 2009年6月.
“東大と産総研、SSD書き込み高速化-強誘電体NANDフラッシュメモリー,” 日刊工業新聞, 2009年6月.
“東京大学ら、SSDのランダム書き込みを2倍に高速化、データ・センターなどに向ける,” 日本経済新聞, 2009年6月.
“東大と産総研、SSD書き込み高速化 - 強誘電体フラッシュメモリー,” 朝日新聞, 2009年6月.
“SSD、価格が急速に下がってもすぐには市場は拡がらない。使い勝手の向上が不可欠,” 日経エレクトロニクス, 2009年5月.
“ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)の新技術:3次元化と新電源システムメモリの電力を約1/3まで低減、 コスト低減にも有効,” 生研ニュース, 2009年4月.
“どう付き合うかSSD:制御LSI、OS、メモリ総力を結集して信頼性向上へ,” 日経エレクトロニクス, 2009年4月.
“SSD進化のカギ握る消費電力,東大らが電源機構を一新 メモリの消費電力を従来比68%低減,” 日経エレクトロニクス, 2009年3月.
“SSD応用を目指すには大容量NAND技術とともに低電力技術が必須に,” 日経エレクトロニクス, 2009年2月.
“東大が3次元SSD向け電源回路を開発、低消費電力と小型化に大きく寄与,” EE Times Japan, 2009年2月.
“東京大学らがSSD向けの新電源システム開発,メモリの消費電力を1/3に,” 日経エレクトロニクス, 2009年2月.
“東京大学 省エネ型電源回路を開発,” 東京大学新聞, 2009年2月.
“東京大学 低電力の電源システム SSD用フラッシュ向け,” 化学工業日報, 2009年2月.
“SSDの新電源制御回路 消費電力68% 東大グループがシステム開発,” 科学新聞, 2009年2月.
“「ISSCC」米で開催 メモリー電力7割減 東大が3次元積層用電源,” 日刊工業新聞, 2009年2月.
“Solid-State Circuits, in 3-D!,” IEEE Spectrum, 2009年2月.
“ISSCC2009, SSD応用を目指すには,大容量NAND技術とともに低電力技術が必須に,” 日経エレクトロニクス, 2009年2月.
“NANDは超多値技術が実用域へ,” 日経エレクトロニクス, 2009年1月.
“まだまだ元気なメモリの開発現場,” 日経エレクトロニクス, 2008年11月.
“Novel ferroelectric NAND flash memory cell demonstrates 10000 times more program and erase cycles than conventional memory cells,” Nanowerk, 2008年6月.
“Fe-NAND To boost performance and scaling of NAND,” Electronics Weekly, 2008年6月.
“強誘電体を用いたNANDフラッシュ・メモリ・セルを開発,書き換え回数1億回以上,” 日経エレクトロニクスB, 2008年5月.
“強誘電体を用いたNANDフラッシュメモリ,書き換え回数1億回以上,” 日本経済新聞, 2008年5月.

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