中央大学 理工学部 電気電子情報通信工学科
 中央大学 大学院理工学研究科 電気電子情報通信工学専攻 竹内研究室

TOPICS
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2008年度
2009年度
10/03/24 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会が主催するシリコンプラットフォームテクノロジで竹内准教授が講演します。「低電力SSD/強誘電体NANDフラッシュメモリ技術」
10/03/19 B4本田君が、電子工学科を代表して工学部長賞を受賞しました。
10/03/19 M2畑中君が、電気系工学専攻の優秀論文賞を受賞しました。
10/03/19 竹内准教授が日経エレクトロニクス主催NEアカデミーで講演をします。「新世代ストレージ SSDの使いこなし方 基礎から応用まで包括的に解説」
10/03/17 応用物理学会にて竹内研究室の4名が発表を行いました。
・M2畑中君 "Zero VTH Ferroelectric(Fe)-NAND Flash Memory Cell によるリードディスターブ特性、プログラムディスターブ特性、およびデータ保持特性の改善"
・M2矢島君 "Fe(Ferroelectric)-NAND フラッシュメモリの負電圧ステップダウン消去法"
・M2野田君 "Ferroelectric-NAND フラッシュメモリ向け1.2V 動作アダプティブチャージポンプ"
・M1田中君 "0.5V 動作強誘電体6T-SRAM"
10/03/12 EE Time Japanの3月号の特集記事「微細化の限界に挑む、Si材料と新材料の融合で新たな展望も」の中で、竹内研が開発した強誘電体SRAMが取り上げられました。
10/03/01 IEICEの英文論文誌(2010年3月号)に3次元SSD電源回路の論文が掲載されました。
10/02/24 竹内准教授が技術情報協会のセミナーで講演をします。「データセンター向け高信頼・低電力強誘電体NANDフラッシュメモリ技術」
10/02/12 竹内准教授がセッションチェアをしたISSCCのSession 24(DRAM & Flash Memory)のレポートが日経エレクトロニクスTech-Onに掲載されました。
10/01/29 IEDM講演会で強誘電体FETを用いたSRAMについて発表します。「0.5V動作, しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン増加, 32%アクティブ電力削減, 42%リーク電流削減の強誘電体6T-SRAM」
10/01/12 日経エレクトロニクスTech-Onに竹内准教授についての記事が掲載されました。「東芝から東京大学に転じた半導体技術者の活躍ぶり」
10/01/11 竹内研究室が開発した強誘電体トランジスタを用いた0.5V動作SRAMが日経エレクトロニクス2010年1月11日号(p.61-68)に掲載されました。「IEDM 2009:量産始まる32nm SoC技術、0.5V動作SRAMなどに注目」
10/01/09 M1田中丸君がIEEE EDS Japan Chapter Student Awardを受賞しました。
09/12/18 IEDMで発表した強誘電体トランジスタを用いたSRAMがEE Times Japanで紹介されました。
09/12/11 染谷先生のグループの有機トランジスタを使った不揮発性メモリの論文がScienceに掲載されました。
09/12/08 IEDMでM1田中丸君が発表した内容が日経エレクトロニクスTech-Onで取り上げられました。「0.5Vで動作するSRAM,東京大学らが強誘電体FETで実現」
09/12/08 M1田中丸君の強誘電体トランジスタを使った0.5V動作SRAMの論文がIEDMに採択されました。"A 0.5V Operation, 32% Lower Active Power, 42% Lower Leakage Current, Ferroelectric 6T-SRAM with VTH Self-Adjusting Function for 60% Larger Static Noise Margin"
09/12/19 CRESTの研究領域「ディペンダブルVLSIシステムの基盤技術」の研究を発表する「ディペンダブルVLSIシステムワークショップ2009」が12月19日(土)10:00~17:45 東京大学 本郷キャンパス 武田ホールで行われます。
09/12/15 産業技術総合研究所のエレクトロニクスフォーラムで「システム化するNANDフラッシュメモリ」と題してNANDフラッシュメモリに関する講演をします。
09/11/26 電子ジャーナル主催のSSDに関するシンポジウムで「グリーンITを目指した低電力3次元積層SSD技術」と題して基調講演を行います。
09/11/09 2月に小笠原で行った「LSIの未来を考える 小笠原ワークショップ」の議論をまとめたものが
日経マイクロデバイス 「半導体技術年鑑2010」の第1章に掲載されました。「2020年の半導体未来像,そこに向けた課題と克服策」
09/10/19 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGYという論文誌にFe-NANDの論文(筆頭著者は共同研究者の産総研)が掲載されました。ShouyuWang, Mitue Takahashi, Qiu-Hong Li, Ken Takeuchi and Shigeki Sakai, "Operational method of a ferroelectric (Fe)-NAND flash memory array"
09/10/16 CREST/SSDのプロジェクトが日経エレクトロニクスで紹介されました。「SSDの国家プロジェクトがスタート,10Gビット/秒の超高速無線通信技術を採用」
09/10/01 竹内准教授がSSDについて講演した内容が本になりました。
SSD 2010」 (日経エレクトロニクス編)
09/10/07 M2野田君の強誘電体トランジスタを使ったチャージポンプ回路の論文がSSDMのLate Newsに採択されました。"A 1.2V Operation 2.43 Times Higher Power Effi ciency Adaptive Charge Pump Circuit with Optimized VTH at Each Pump Stage for Ferroelectric (Fe)-NAND Flash Memories" (2009.10.7)
09/10/09 10月に仙台で開催されるSSDM (2009 International Conference on Solid State Devices and Materials)でM2矢島君が発表を行います。"A Negative Word-line Voltage Step-Down Erase Pulse Scheme with ΔVTH= 1/6 ΔVERASE for Enterprise SSD Application Ferroelectric(Fe)-NAND Flash Memories"
09/09/28 9月にサンフランシスコで開催される3D-IC (IEEE International Conference on 3D System Integration)で発表を行います。"Effect of Resistance of TSV’s on Performance of Boost Converter for Low Power 3D SSD with NAND Flash Memories"
09/09/23 9月にバンクーバーで開催されるCMOS Emerging Technologiesで竹内准教授が発表を行います。"Solid State Drive (SSD) and Memory Subsystem Innovation"
09/09/17 戦略的創造推進事業(CREST)の研究領域:ディペンダブルVLSIシステムの基盤技術に「ディペンダブル ワイヤレス ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)」が採択されました。
09/09/15 新潟大学で開催される電子情報通信学会 でM2の矢島君と野田君が発表を行います。"データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ(1)(2)"
09/09/15 9月にアテネで開催されるESSDERC(European Solid-State Device Research Conference)でM2畑中君が発表を行います。"A Zero Vth Memory Cell Ferroelectric-NAND Flash Memory with 32% Read Disturb, 24% Program Disturb, 10% Data Retention Improvement for Enterprise SSD"
09/08/19 8月にサンフランシスコで開催されるISLPED(International Symposium on Low Power Electronics and Design)で発表を行います。"Inductor Design of 20-V Boost Converter for Low Power 3D Solid State Drive with NAND Flash Memories"
09/08/04 電子情報通信学会 集積回路研究会サマースクールで講演を行います。"デジタルLSI の技術動向:メモリ技術"
09/07/29 日経マイクロデバイスの8月号「NAND型フラッシュ Tビットへのシナリオ」でフラッシュメモリが特集されました。「微細化追求で性能が劣化、新デバイスに商機」の中ではFe-NANDフラッシュの技術が紹介されました。
09/07/24 日経エレクトロニクス・アカデミーで講演を行います。"SSDを使いこなすための基礎と応用"
09/07/16 電子情報通信学会 集積回路研究会でM2の矢島君が「データセンター用SSD向け,不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ」、M1の田中丸君が「0.5V 動作DRAM用60pJ, 立ち上がり時間3クロック, しきい値電圧ロス補償ワード線昇圧回路」の講演を行います。
09/07/07 VLSIシンポジウムで発表したFe-NANDがEE Timesで取り上げられました。「不揮発メモリーが咲き誇る、VLSI 2009が開催」
09/07/07 省エネルギー革新技術開発事業(NEDO)に「極低電力回路・システム技術開発(グリーンITプロジェクト)」が採択されました。
09/07/03 日経エレクトロニクスの記事「NANDフラッシュもアプリケーションを強く意識して開発する流れに」の中でVLSIシンポジウムで発表した技術が紹介されています。
09/06/29 竹内研究室が開発したSSDの高速化技術が日経エレクトロニクス2009年6月29日号(p.16-17)に掲載されました。「データ・センター向けのSSD、東大らが書き込み性能を2倍、書き込み中の電源遮断にも対策」
09/06/25 省エネルギー革新技術開発事業(NEDO)に「強誘電体フラッシュメモリ基盤技術の研究開発」が採択されました。
09/06/25 VLSIシンポジウムで発表したFe-NANDを用いたSSDに関する各社報道記事です
朝日新聞 ・日本経済新聞 ・日刊工業新聞 ・PC Watch
日経エレクトロニクス(6/16)日経エレクトロニクス(6/17) ・東京大学新聞社
日刊工業新聞
09/06/16 6月に京都で開催されるIEEE Symposium on VLSI CircuitsでM2の畑中君が強誘電体NANDフラッシュメモリ(Fe-NAND)に関する発表を行います。"Ferroelectric(Fe)-NAND Flash Memory with Non-Volatile Page Buffer for Data Center Application Enterprise Solid-State Drives (SSD)"
09/06/11 Symposium on VLSI Circuitsで発表するFe-NANDフラッシュメモリに関して記者会見を行いました。「強誘電体NAND フラッシュメモリ、ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)の書き込みを2 倍に高速化、電源遮断時のデータ破壊も阻止」
09/06/07 VDECデザイナーズ・フォーラム2009でM2の畑中君が招待講演を行います。"LSIの研究を始める第一歩:設計環境の構築~竹内研究室の立ち上げに携わって"
09/05/27 5/27(水)1:30-3PMに大学院入試説明会を行います。3PMから2号館12階122B号室で竹内研説明会を行います。
09/05/21 竹内健准教授のインタビュー記事が日経エレクトロニクスTechOnに掲載されました。「SSD、価格が急速に下がってもすぐには市場は拡がらない。使い勝手の向上が不可欠」
09/05/21 高宮研D1の安福君が3次元SSDに関する発表で"LSIとシステムのワークショップ"の優秀発表賞を受賞しました。「三次元積層NAND型フラッシュSSD向けプログラム電圧(20V)生成回路」
09/05/19 LSIとシステムのワークショップ2009で3次元SSDに関するの発表を行います。"三次元積層NAND型フラッシュSSD向けプログラム電圧(20V)生成回路"
09/05/14 3次元SSDに関する記者会見の様子が生研ニュース2009年4月号に掲載されました。"ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)の新技術:3次元化と新電源システムメモリの電力を約1/3まで低減、コスト低減にも有効"
09/05/12 5月にモントレーで開催されるIEEE International Memory Workshop(IMW)で新M1の田中丸君が極低消費電力DRAMの発表を行います。"A 60pJ, 3-Clock Rising Time, Vth Loss Compensated Word-line Booster Circuit for 0.5V Power Supply Embedded/Discrete DRAMs"
09/04/20 竹内研究室の強誘電体NANDフラッシュメモリ(Fe-NAND)の研究が日経エレクトロニクス2009年4月20日号に掲載されました。"どう付き合うかSSD:制御LSI、OS、メモリ総力を結集して信頼性向上へ"
09/04/14 電子情報通信学会 集積回路研究会で3次元SSDに関する招待講演を行います。"三次元SSDの低電力化技術とSSD 向けプログラム電圧(20V)生成回路"
09/04/02 IEEE Journal of Solid-State Circuits 2009年4月号に論文が掲載されました。"Novel Co-Design of NAND Flash Memory and NAND Flash Controller Circuits for Sub-30 nm Low-Power High-Speed Solid-State Drives (SSD)"
09/04/02 2009年春季 第56回応用物理学関係連合講演会でFe-NANDに関してM1の畑中君が発表を行います。"Ferroelectric(Fe)-NAND フラッシュメモリにおけるプログラムディスターブ特性"

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