中央大学 理工学部 電気電子情報通信工学科
 中央大学 大学院理工学研究科 電気電子情報通信工学専攻 竹内研究室

TOPICS
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13/03/27 神奈川工科大学で開催される応用物理学会で7件の発表を行いました。
            
  •   宮地幸祐, 柳原裕貴, 竹内健,“BiCS型三次元積層NANDフラッシュメモリにおけるゲート長、ゲート間隔及び積層数の設計方針,”応用物理学関係連合講演会, 28a-G9-1, 2013年3月.
  • 宮地幸祐, 宮野信治, 竹内健,“不良セルへの電荷同時注入による修復技術を用いた低消費電力6T-SRAM,”応用物理学関係連合講演会, 28a-G9-6, 2013年3月.
  • 田中丸周平, 土井雅史, 竹内健,“統合ソリッドステートストレージアーキテクチャ,”応用物理学関係連合講演会, 28a-G9-2, 2013年3月.
  • 土井雅史, 田中丸周平, 竹内健,“統合ソリッドステードストレージの信頼性評価,”応用物理学関係連合講演会, 28a-G9-3, 2013年3月.
  • 山根佳彦, 蜂谷尚悟, 田中丸周平, 竹内健,“20nm世代TLC(3bit/cell) NANDフラッシュメモリの信頼性評価,”応用物理学関係連合講演会, 28a-G9-4, 2013年3月.
  • 上口光, 吉岡和顕, 竹内健,“ブロック消去アーキテクチャを用いたNAND型高集積相変化メモリ,”応用物理学関係連合講演会, 27p-PB5-12, 2013年3月.
  • 畑中輝義, 上口光, 竹内健,“3次元実装SSD用昇圧回路のEMC距離依存性評価,”応用物理学関係連合講演会, 27p-PB5-11, 2013年3月.
  • 13/03/18 大阪・常翔学園大阪センターでISSCC 2013の報告会でUnified Solid-State Storageを発表しました。
    13/03/13 一橋講堂で開催される「グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発」成果報告会で招待講演を行いました。
    13/03/05 日経Tech-OnにMOTコラム “規模は小さくてもキラリと光る、ものづくり 巨額な投資は行わないスーパーニッチ戦略” が掲載されました。
    13/02/20 日経Tech-OnにMOTコラム “信頼性を従来比32倍に改善できるNAND/ReRAM統合ストレージ・システム、中央大学が開発” が掲載されました。
    13/01/28 日経Tech-OnにMOTコラム “日本のものづくり復活のカギはビッグデータの活用にあり データ活用を阻む壁を超えるリーダーシップ” が掲載されました。
    13/01/23 ナノ・マイクロ ビジネス展記念講演会で講演を行いました。
    12/12/26 日経Tech-OnにMOTコラム “大企業よ、さようなら。儲からなくても、忙しくても、自分の人生は自分で決めたい” が掲載されました。
    12/12/17 集積回路研究会で9件の発表を行いました。
    12/11/29 PCOS(相変化研究会)でメモリシステムの発表、相変化メモリのポスター発表を行いました。
                
  •   K. Takeuchi,“Hybrid Memory Architecture of PCM and NAND flash memories for Enterprise Storage ,” Phase Change Oriented Science (PCOS), November 2012.
  • K. Johguchi, K. Yoshioka and K. Takeuchi, “High Density NAND Phase Change Memory with Block-Erase Architecture and Investigations for Write and Disturb Requirements,” Phase Change Oriented Science (PCOS), November 2012.
  • 12/11/27 日経Tech-OnにMOTコラム “苦境の電機産業に見る、日本型雇用の終焉” が掲載されました。
    12/11/18 IEEE Pacific Rim International Symposium on Dependable ComputingでSSDの信号処理技術の講演を行いました。
              
  • K. Takeuchi,“Highly Reliable Signal Processing Technologies for Dependable Solid-State Drives (SSDs),” The 18th IEEE Pacific Rim International Symposium on Dependable Computing (PRDC), November 2012.
  • 12/11/15 New Non-Volatile Memory Workshop 2012でSSDの講演を行いました。
               
  •   K. Takeuchi,“Signal Processing and Data Management Technologies for NAND&ReRAM Hybrid SSD ,”             New Non-Volatile Memory Workshop 2012, November 2012.
  • 12/11/13 Asian Solid-State Circuits Conferenceで電源回路に関して2件の発表を行いました。
  • T. Hatanaka and K. Takeuchi, “VSET/RESET and VPGM Generator without Boosting Dead Time for 3D-ReRAM and NAND flash Hybrid Solid-State Drives,”IEEE Asian Solid-State Circuits Conference (A-SSCC), November 2012.
  • K. Miyaji, K. Johguchi, K. Higuchi and K. Takeuchi,         “An Integrated Variable Positive/Negative Temperature Coefficient Read Reference Generator               for MLC PCM/NAND Hybrid 3D SSD,”IEEE Asian Solid-State Circuits Conference (A-SSCC), November 2012.          
  • 12/11/07 Workshop on Variability Modeling and Characterizationで招待講演を行いました。
                
  •   K. Takeuchi, “Variability and Failure Recovery of SRAM and Flash Memory,” IEEE/ACM Workshop on Variability Modeling and Characterization (VMC), November 2012.
  • 12/10/31 シンガポールで開催されるNVMTSで招待講演と論文発表を行いました。
  • K. Takeuchi, “Sophisticated Error Correction and Data Management Technologies for Storage Class Memory & NAND Flash Memory Hybrid Solid-State Drives (SSD),”NVMTS, October 2012.
  • C. Sun, K. Miyaji, K. Johguchi and K. Takeuchi, “x8 High Write-Throughput, 84% Write-Energy Saving, x6.5 Extended Lifetime Hybrid ReRAM/MLC NAND SSD with Cold Data Eviction Algorithm,”NVMTS, October 2012
  • 12/10/22 日経Tech-OnにMOTコラム “似て非なる「AmazonのTIのCPU事業買収」と「国内10社のルネサス出資」  サービス・ソフト・ハードの融合にはユーザー企業の覚悟も試される” が掲載されました。
    12/10/01 日経Tech-OnにMOTコラム “リストラが相次ぐ電機業界、抜擢人事なくして、 復活は望めない均一の賃金カットや早期退職では体力が落ちるだけ” が掲載されました。
    12/09/27 京都で開催されるSSDMで、抵抗変化型メモリ(ReRAM)の高速化回路技術について発表を行いました。
  • Tomoko Ogura Iwasaki, Sheyang Ning and Ken Takeuchi; “Bipolar Read in ReRAM for 3x Write Speed and 5x Faster Read with Disturb Immunity, International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM),”
  • 12/08/27 研究紹介(Research)を更新しました。
    12/08/20 日経Tech-OnにMOTコラム “HDD事業を売却しサービスに特化したIBMがSSDメーカーを買収するわけ  水平分業からハード・ソフト・サービス統合の時代へ” が掲載されました。
    12/08/19 EDA Expressに “中大竹内教授、ESLを駆使してハイブリッドSSDアーキテクチャとメモリ制御システムを開発” が掲載されました。
    12/08/07 東大2013~東大1461DAYSにインタビュー記事掲載。
    12/07/28 IEEE Transactions on Circuits and Systemsに低電力SRAMの論文が掲載されました。
  • K. Miyaji, Y. Shinozuka, S. Miyano and K. Takeuchi,              “Near Threshold Voltage Word-line Voltage Injection Self-Convergence Scheme            for Local Electron Injected Asymmetric Pass Gate Transistor 6T-SRAM,”            IEEE Transactions on Circuits and Systems I, vol. 59, no. 8, pp. 1635-1643, August 2012
  • 12/07/02 日経Tech-OnにMOTコラム “「こんな製品を開発します」では投資してもらえない” が掲載されました。
    12/06/28 日経エレクトロニクス6月25日号 「垂直連携で技術大国再び 日本の研究開発 かくあるべき」 にインタビューが掲載されました。
    12/06/23
  • IEEE Journal of Solid-State Circuits 2012年6月号に3次元SSDの論文が掲載されました
    T. Hatanaka and K. Takeuchi, “NAND Controller System with Channel Number Detection and Feedback for Power-Efficient High-Speed 3D-SSD,” IEEE J. of Solid-State Circuits, vol. 47, no. 6, pp. 1460-1468, June 2012.
  • 12/06/12 VLSIシンポジウムでのSSDに関する発表が 日経Tech-On にて報道されました
    12/06/11 日経Tech-OnにMOTコラム 「海外の巨大企業との連携で、ピンチをチャンスに変える.懐に飛び込み、日本の技術を世界標準に」 が掲載されました。
    12/06/1 IT融合フォーラム有識者会議で講演を行いました。
    12/05/31 エンジニアtypeにインタビュー記事が掲載されました。
    “メーカー大リストラは他人事じゃない!竹内健氏、吉岡弘隆氏に聞く「生き残る技術者」とは”
    12/05/23 IMW2012でのフラッシュメモリとPRAM技術に関する発表が日経Tech-Onに掲載されました。
    NANDフラッシュメモリ技術
    PRAM技術
    12/05/20 SSDに関する招待論文がIEICE Electronics Express (ELEX)に掲載されました。;
  • K. Takeuchi,T. Hatanaka and S. Tanakamaru, “Highly Reliable, High Speed and Low Power NAND Flash Memory-Based Solid State Drives (SSDs),” vol. 9, no. 8, pp. 779-794, IEICE Electronics Express (ELEX), 2012.
  • 12/05/14 日経Tech-Onにコラムが掲載されました。
    「GoogleやFacebookがハードに進出する時代とは 新分野に挑戦し続ける者が生き残る」
    12/05/09 関西大学で開催される IMFEDK でSSDに関する招待講演を行いました。
    12/04/23 集積回路研究会で竹内研から4件の発表を行いました。
  • 宮地幸祐, 鈴木利一, 宮野信治, 竹内健, “高速、低消費電力6T-SRAMを実現する電荷の同時注入による不良セルの修復技術,” 集積回路研究会, 信学技報, vol.112, no.15, ICD2012-12, pp.61-66, 2012年4月
  • 田中丸周平, 柳原裕貴, 竹内健, “エラー予測LDPCとエラー回復機構により10倍の長寿命、エラーを76%削減したSSD,” 集積回路研究会, 信学技報, vol.112, no.15, ICD2012-5, pp.23-28, 2012年4月.
  • 畑中輝義, 竹内健, “3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速、15%低消費電力Vpass(10V)、Vpgm(20V)生成電源システム,” 集積回路研究会, 信学技報, vol.112, no.15, ICD2012-8, pp.37-42, 2012年4月]
  • “[パネル討論]”復興”メモリと日本の明日に向かって,” 宮野信治(半導体理工学研究センター)・佐々木淳(岩手県)・大石基之(日経BP)・松永翔雲(東北大)・竹内健(東大)・助川博(東芝)
  • 12/04/22 フラッシュメモリ、ReRAM、SSDに関するジャーナル論文が6件掲載されました。
  • K. Miyaji, Y. Shinozuka and K. Takeuchi, “Zero Additional Process, Local Charge Trap, Embedded Flash Memory with Drain-side Assisted Erase Scheme Using Minimum Channel Length/Width Standard CMOS Single Transistor Cell,” vol. 51, no. 4, pp. 04DD02, Japanese Journal of Applied Physics (JJAP), April 2012.
  • K. Higuchi,K. Miyaji,K. Johguchi and K. Takeuchi, “Endurance Enhancement and High Speed Set/Reset of 50nm Generation HfO2?based Resistive Random Access Memory (ReRAM) Cell by Intelligent Set/Reset Pulse Shape Optimization and Verify Scheme,” vol. 51, no. 2, pp. 02BD07, Japanese Journal of Applied Physics (JJAP), February 2012.
  • K. Miyaji,C. Hung and K. Takeuchi, “Scaling Trends and Tradeoffs between Short Channel Effect and Channel Boosting Characteristics in sub-20nm Bulk/SOI NAND Flash Memory,&rdquo vol. 51, no. 4, pp. 04DD12, Japanese Journal of Applied Physics (JJAP), April 2012.
  • K. Johguchi,T. Hatanaka and K. Takeuchi, “Through-Silicon-Via (TSV) Design with Clustering Structure and Adaptive TSV Control for 3D Solid-State-Drive Boost Converter System,” vol. 51, no. 2, pp. 02BE02, Japanese Journal of Applied Physics (JJAP), February 2012.
  • K. Miyaji,R. Yajima,T. Hatanaka,M. Takahashi,S. Sakai and K. Takeuchi, “Initialize & and Weak-Program Erasing Scheme and Single-Pulse Programming Scheme for High-Performance and High-Reliability Ferroelectric NAND Flash Solid-State Drive,” IEICE Transactions on Electronics, E95-C, no. 4, pp. 609-616, April 2012
  • K. Miyaji, K. Honda, S. Tanakamaru, S. Miyano and K. Takeuchi, “Analysis of Operation Margin and Read Speed in 6T- and 8T-SRAM with Local Electron Injected Asymmetric Pass Gate Transistor,” IEICE Transactions on Electronics, E95-C, no. 4, pp. 564-571, April 2012.
  • 12/04/19 日経エレクトロニクス アカデミーで講演を行いました。
    「不揮発性メモリを使いこなす.SSDから、ストレージ・クラス・メモリまで」
    12/04/16 日経Tech-Onにコラムが掲載されました。
    「誰もが満足できる「正義」がない時代を生き抜くには 波乱の時代、個人のサバイバル能力が試される」
    12/04/13 EE Times Japanにインタビューが掲載。
    “異色のエンジニア””竹内 健氏 ロングインタビュー(1):マーケティングを人任せにするな
    12/04/07 5月にミラノで開催されるInternational Memory Workshop2012 にて、竹内研から フラッシュメモリ、ReRAM、PRAMの3件の論文とSSDに関する招待講演を行います。
    12/04/02 ハワイで開催されるSymposium on VLSI Circuit 2012で1件の発表を行います。
  • H. Fujii,K. Miyaji,K. Johguchi,K. Higuchi,C. Sun and K. Takeuchi; “x11 Performance Increase, x6.9 Endurance Enhancement, 93% Energy Reduction of 3D TSV-Integrated Hybrid ReRAM/MLC NAND SSDs by Data Fragmentation Suppression,IEEE Symposium on VLSI circuits,pp.134-135/2012,”
  • 12/04/01 竹内研究室の中央大学理工学部電気電子情報通信工学科に異動に伴いホームページリニューアル。

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