中央大学 理工学部 電気電子情報通信工学科
 中央大学 大学院理工学研究科 電気電子情報通信工学専攻 竹内研究室

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17/12/15 日経テクノロジーOnlineに「 新手法で3D NANDフラッシュのさらなる大容量化に道筋 」が掲載されました。
17/11/29 12/5-12/7 神奈川県 川崎市で開催される コンピュータシステム・シンポジウム において3件の論文を発表します。
  • 出口慶明、渡辺光、竹内健
    “TLC NAND型フラッシュメモリの高信頼化/データ圧縮向け多元ハフマン符号の提案”
  • 中村俊貴、出口慶明、竹内健
    “TLC NAND型フラッシュメモリにおけるLDPC符号に適したエラー分散技術の提案”
  • 木下怜佳、松井千尋、山賀祐典、安達優、竹内健
    “SCM/NANDフラッシュハイブリッドSSDのワークロード特性に応じたSCMのエラー救済手法”
  • 17/10/31 12/2-12/6 アメリカ カリフォルニアで開催される IEEE International Electron Devices Meeting において1件の論文と1件の招待講演を行います。
  • Kyoji Mizoguchi, Shohei Kotaki, Yoshiaki Deguchi and Ken Takeuchi
    “Lateral Charge Migration Suppression of 3D-NAND Flash by Vth Nearing for Near Data Computing”
  • Ken Takeuchi
    “Data-Aware NAND Flash Memory for Intelligent Computing with Deep Neural Network”

  • 11/16-11/17 静岡県 熱海で開催される 相変化研究会シンポジウム において1件の招待講演を行います。
  • Chihiro Matsui and Ken Takeuchi
    “Heterogeneous Storage with Storage Class Memories and NAND Flash Memory for Big and Fast Data Processing”
  • 17/10/27 11/6-11/8 熊本県 くまもと県民交流館パレアで開催される デザインガイア2017-VLSI設計の新しい大地- において1件の論文を発表します。
  • 鈴木健太、鶴見洸太、竹内健
    “NAND型フラッシュメモリとReRAMで構成されるハイブリッドSSD向け低電力動作可能な昇圧回路”
  • 17/10/20 11/6-11/8 韓国 ソウルで開催される IEEE Asian Solid-State Circuits Conference において2件の論文を発表します。
  • Hikaru Watanabe, Yoshiaki Deguchi and Ken Takeuchi
    “MLC/3LC NAND Flash SSD Cache with Asymmetric Error Reduction Huffman Coding for Tiered Hierarchical Storage”
  • Yoshiaki Deguchi and Ken Takeuchi
    “Word-line Batch VTH Modulation of TLC NAND Flash Memories for Both Write-Hot and Cold Data”
  • 17/08/28 9/19-9/22 宮城県 仙台市で開催される Solid State Devices and Materials において2件の論文を発表します。
  • Chihiro Matsui and Ken Takeuchi
    “Error-Correction & Set/Reset Verify Strategy of Storage Class Memory(SCM) for SCM/NAND Flash Hybrid and All-SCM Storage”
  • Yukiya Sakaki, Tomoaki Yamada, Chihiro Matsui, Yuusuke Yamaga and Ken Takeuchi
    “23% Higher Performance 2D MLC/3D TLC NAND Flash Hybrid Solid-State Drive”
  • 17/08/28 9/5-9/8 福岡県 福岡市で開催される 応用物理学会秋季学術講演会 において1件の論文を発表します。
  • 福山将平、前田一輝、竹内健
    “TaOx ReRAMの書き換え耐久性におけるエラー回復現象を用いた高信頼手法の提案”
  • 17/08/28 8/30-9/1 石川県 加賀市で開催される DAシンポジウム において1件の論文と1件の招待講演を行います。
  • 松井千尋、杉山佑輔、竹内健
    “ストレージクラスメモリおよびNANDフラッシュを用いたハイブリッドストレージのアプリケーション依存性”
  • 竹内健
    “データの価値判断に基づくインテリジェントなストレージ技術”
  • 17/07/17 9/11-9/14 ベルギー ルーヴェンで開催される European Solid-State Device Research Conference において2件の論文を発表します。
  • Chihiro Matsui and Ken Takeuchi
    “22% Higher Performance, 2x SCM Write Endurance Heterogeneous Storage with Dual Storage Class Memory and NAND Flash," European Solid-State Device Research Conference”
  • Takashi Inose, Seiichi Aritome, Ryutaro Yasuhara, Satoshi Mishima and Ken Takeuchi
    “Study of Error Repeatability and Recovery in 40nm TaOx ReRAM”
  • 17/07/17 8/8-8/10 アメリカ カリフォルニア州 サンタクララで開催される Flash Memory Summit において1件の論文を発表します。
  • Chihiro Matsui, Tomoaki Yamada, Yusuke Sugiyama, Yusuke Yamaga and Ken Takeuchi
    “Tri-Hybrid SSD with SCM and MLC/TLC NAND Flash Memories”
  • 17/05/30 6/5-6/8 京都府 京都市で開催される IEEE Symposium on VLSI Technologies において1件の論文を発表します。
  • Yoshiaki Deguchi, Atsuro Kobayashi, Hikaru Watanabe and Ken Takeuchi
    “Flash Reliability Boost Huffman Coding (FRBH): Co-Optimization of Data Compression and VTH Distribution Modulation to Enhance Data-Retention Time by Over 2900x”
  • 17/05/09 プレスリリースを行いました。
    ディープラーニング(深層学習)を用いた画像認識に最適なSSDを開発 ~ データの「価値」を判断することで、300倍の長寿命化、26%の高速化に成功

    5/15-17 東京都 東京大学で開催される LSIとシステムのワークショップ において1件の論文を発表します。
  • 鶴見洸太、鈴木健太、竹内健
    “0.6V動作ReRAM書き込み電圧生成回路における書き込みデータサイズに応じたバッファ電圧最適化手法”
  • 17/04/28 5/14-5/17 アメリカ カリフォルニア州 モントレーで開催される IEEE International Memory Workshop において4件の論文を発表します。
  • Atsuna Hayakawa1, Kazuki Maeda1, Shouhei Fukuyama1, Hirofumi Takishita1, Ryutaro Yasuhara2, Satoshi Mishima2 and Ken Takeuchi1, 1Chuo University, Tokyo, Japan, 2Panasonic Semiconductor Solutions Co.,Ltd
    “Resolving Endurance and Program Time Trade-off of 40nm TaOx-based ReRAM by Co-optimizing Verify Cycles, Reset Voltage and ECC Strength”
  • Toshiki Nakamura, Yoshiaki Deguchi and Ken Takeuchi
    “AEP-LDPC ECC with Error Dispersion Coding for Burst Error Reduction of 2D and 3D NAND Flash Memories”
  • Yusuke Sugiyama, Tomoaki Yamada, Chihiro Matsui and Ken Takeuchi
    “Reconfigurable SCM capacity Identification Method for SCM/NAND Flash Hybrid Disaggregated Storage”
  • Kyoji Mizoguchi, Tomonori Takahashi, Seiichi Aritome and Ken Takeuchi
    “Data-Retention Characteristics Comparison of 2D and 3D TLC NAND Flash Memories”

  • 4/30-5/3 アメリカ テキサス州 オースティンで開催される IEEE Custom Integrated Circuits Conference において1件の論文を発表します。
  • Yoshiaki Deguchi, Toshiki Nakamura, Atsuro Kobayashi and Ken Takeuchi
    “12x Bit-Error Acceptable, 300x Extended Data-Retention Time, Value-Aware SSD with Vertical 3D-TLC NAND Flash Memories for Image Recognition”
  • 17/04/12 4/19-4/22 山形県 天童市で開催される IEEE International Conference on Electronics Packaging において1件の論文を発表します。
  • Tomoaki Yamada, Atsuya Suzuki, Yusuke Sugiyama, Chihiro Matsui and Ken Takeuchi
    “Comprehensive Analysis on SCM Specifications for High-Performance SCM/NAND Flash Hybrid SSD with Through-Silicon Via”
  • 17/04/01 4/2-4/6 アメリカ カリフォルニア州 モントレーで開催される IEEE International Reliability Physics Symposium において4件の論文を発表します。
  • Yusuke Yamaga, Chihiro Matsui, Yukiya Sakaki, Atsuro Kobayashi and Ken Takeuchi
    “Real Usage-based Precise Reliability Test by Extracting Read/Write/Retention-Mixed Real-life Access of NAND Flash Memory from System-level SSD Emulator”
  • Seiichi Aritome, Tomonori Takahashi, Kyoji Mizoguchi and Ken Takeuchi
    “RTN Impact on Data-Retention Failure/Recovery in Scaled (~1Ynm) TLC NAND Flash Memories”
  • Kazuki Maeda1, Shouhei Fukuyama1, Ryutaro Yasuhara2, Satoshi Mishima2 and Ken Takeuchi1, 1Chuo University, Tokyo, Japan, 2Panasonic Semiconductor Solutions Co.,Ltd
    “Error Recovery of Low Resistance State in 40nm TaOx-based ReRAM”
  • Atsuro Kobayashi, Hikaru Watanabe, Yukiya Sakaki, Seiichi Aritome and Ken Takeuchi
    “Investigation of Read Disturb Error in 1Ynm NAND Flash Memories for System Level Solution”
  • 17/04/01 研究室のメンバー(People)を更新しました。

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