中央大学 理工学部 電気電子情報通信工学科
 中央大学 大学院理工学研究科 電気電子情報通信工学専攻 竹内研究室

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2017年度
17/05/09 プレスリリースを行いました。
ディープラーニング(深層学習)を用いた画像認識に最適なSSDを開発 ~ データの「価値」を判断することで、300倍の長寿命化、26%の高速化に成功
17/04/28 5/14-5/17 アメリカ カリフォルニア州 モントレーで開催される IEEE International Memory Workshop において4件の論文を発表します。
  • Atsuna Hayakawa1, Kazuki Maeda1, Shouhei Fukuyama1, Hirofumi Takishita1, Ryutaro Yasuhara2, Satoshi Mishima2 and Ken Takeuchi1, 1Chuo University, Tokyo, Japan, 2Panasonic Semiconductor Solutions Co.,Ltd
    “Resolving Endurance and Program Time Trade-off of 40nm TaOx-based ReRAM by Co-optimizing Verify Cycles, Reset Voltage and ECC Strength”
  • Toshiki Nakamura, Yoshiaki Deguchi and Ken Takeuchi
    “AEP-LDPC ECC with Error Dispersion Coding for Burst Error Reduction of 2D and 3D NAND Flash Memories”
  • Yusuke Sugiyama, Tomoaki Yamada, Chihiro Matsui and Ken Takeuchi
    “Reconfigurable SCM capacity Identification Method for SCM/NAND Flash Hybrid Disaggregated Storage”
  • Kyoji Mizoguchi, Tomonori Takahashi, Seiichi Aritome and Ken Takeuchi
    “Data-Retention Characteristics Comparison of 2D and 3D TLC NAND Flash Memories”

  • 4/30-5/30 アメリカ テキサス州 オースティンで開催される IEEE Custom Integrated Circuits Conference において1件の論文を発表します。
  • Yoshiaki Deguchi, Toshiki Nakamura, Atsuro Kobayashi and Ken Takeuchi
    “12x Bit-Error Acceptable, 300x Extended Data-Retention Time, Value-Aware SSD with Vertical 3D-TLC NAND Flash Memories for Image Recognition”
  • 17/04/12 4/19-22 山形県 天童市で開催される IEEE International Conference on Electronics Packaging において1件の論文を発表します。
  • Tomoaki Yamada, Atsuya Suzuki, Yusuke Sugiyama, Chihiro Matsui and Ken Takeuchi
    “Comprehensive Analysis on SCM Specifications for High-Performance SCM/NAND Flash Hybrid SSD with Through-Silicon Via”
  • 17/04/01 4/2-6 アメリカ カリフォルニア州 モントレーで開催される IEEE International Reliability Physics Symposium において4件の論文を発表します。
  • Yusuke Yamaga, Chihiro Matsui, Yukiya Sakaki, Atsuro Kobayashi and Ken Takeuchi
    “Real Usage-based Precise Reliability Test by Extracting Read/Write/Retention-Mixed Real-life Access of NAND Flash Memory from System-level SSD Emulator”
  • Seiichi Aritome, Tomonori Takahashi, Kyoji Mizoguchi and Ken Takeuchi
    “RTN Impact on Data-Retention Failure/Recovery in Scaled (~1Ynm) TLC NAND Flash Memories”
  • Kazuki Maeda1, Shouhei Fukuyama1, Ryutaro Yasuhara2, Satoshi Mishima2 and Ken Takeuchi1, 1Chuo University, Tokyo, Japan, 2Panasonic Semiconductor Solutions Co.,Ltd
    “Error Recovery of Low Resistance State in 40nm TaOx-based ReRAM”
  • Atsuro Kobayashi, Hikaru Watanabe, Yukiya Sakaki, Seiichi Aritome and Ken Takeuchi
    “Investigation of Read Disturb Error in 1Ynm NAND Flash Memories for System Level Solution”
  • 17/04/01 研究室のメンバー(People)を更新しました。

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