中央大学 理工学部 電気電子情報通信工学科
 中央大学 大学院理工学研究科 電気電子情報通信工学専攻 竹内研究室

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2008年度
2018年度
18/08/31 18/9/3-6 ドイツ ドレスデンで開催される European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) において2件の論文を発表します。
  • Shun Suzuki, Yoshiaki Deguchi, Toshiki Nakamura and Ken Takeuchi
    “Endurance-Based Dynamic VTH Distribution Shaping of 3D-TLC NAND Flash Memories to Suppress Both Lateral Charge Migration and Vertical Charge De-Trap and Increase Data-Retention Time by 2.7x”
  • Kazuki Maeda1, Shinpei Matsuda1, Ryutaro Yasuhara2 and Ken Takeuchi1, 1Chuo University, Tokyo, Japan, 2Panasonic Semiconductor Solutions Co.,Ltd
    “Observation and Analysis of Bit-by-Bit Cell Current Variation During Data-Retention of TaOx-Based ReRAM”
  • 18/08/03 18/8/7-9 アメリカ カリフォルニア州 サンタクララで開催される Flash Memory Summit において3件の論文を発表します。
  • Shun Suzuki, Toshiki Nakamura, Kyoji Mizoguchi and Ken Takeuchi
    “Horizontal Error Detection & Vertical LDPC ECC for Reliable 3D-TLC NAND Flash”
  • Toshiki Nakamura and Ken Takeuchi
    “Artificial Neural Network Coupled LDPC ECC for 3D-NAND Flash Memories”
  • Keita Mizushina, Toshiki Nakamura and Ken Takeuchi
    “Layer-by-layer Adaptively Optimized ECC for NAND Flash SSD Storing CNN Weights”
  • 18/06/04 18/6/18-22 ホノルル ヒルトン・ハワイアン・ビレッジで開催される IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits において1件の論文を発表します。
  • Yusuke Yamaga, Yoshiaki Deguchi, Shohei Fukuyama and Ken Takeuchi
    “5x Reliability Enhanced 40 nm TaOx Approximate-ReRAM with Domain-Specific Computing for RealTime Image Recognition of IoT Edge Devices”

  • 18/6/17-18 ホノルル ヒルトン・ハワイアン・ビレッジで開催される IEEE Silicon Nanoelectoronics Workshop (SNW) において2件の論文を発表します。
  • Yoshiaki Deguchi and Ken Takeuchi
    “280x Data-retention Lifetime and 11x Write/Erase Endurance Enhancement of TLC NAND Flash memories storing Deep Neural Network Weight Data by Data Compression”
  • Yusuke Sugiyama, Chihiro Matsui and Ken Takeuchi
    “75% Performance Boost of RAID-5 Storage with SSDs by Garbage Collection Overhead Reduction for 3D NAND Flash Memory”
  • 18/05/11 18/5/13-16 京都府東山区で開催される IEEE International Memory Workshop (IMW) において2件の論文を発表します。
  • Yoshiaki Deguchi and Ken Takeuchi
    “3D-NAND Flash Solid-State Drive (SSD) for Deep Neural Network Weight Storage of IoT Edge Devices with 700x Data-retention Lifetime Extention”
  • Yoshiaki Deguchi, Kazuki Maeda, Shun Suzuki, Toshiki Nakamura and Ken Takeuchi
    “Error-Reduction Controller Techniques of TaOx-based ReRAM for Deep Neural Networks to Extend Data-Retention Lifetime by Over 1700x”

  • 18/5/14-15 東京都目黒区で開催される LSIとシステムのワークショップ において3件の論文を発表します。
  • 溝口 恭史, 小滝 翔平, 竹内 健
    “3D-NAND型フラッシュメモリにおける積層方向への電荷移動抑制による高信頼化手法 ”
  • 中村 俊貴, 竹内 健
    “チャージトラップ及び浮遊ゲート型3D-NAND型フラッシュメモリにおける機械学習を用いた誤り訂正符号の能力向上手法 ”
  • 渡邉 光, 竹内 健
    “多元ハフマン符号を用いた階層型ストレージのSSDキャッシュ向けデータ圧縮/高信頼化手法の提案”
  • 18/04/30 朝日新聞の記事 「(科学の扉) 「想定外」を考える 消えるデータ、失われる過去 短命のデジタル媒体、社会・文化引き継げず」 が掲載されました。
    18/04/17 4/17-4/21 三重県桑名市で開催される IEEE International Conference on Electronics Packaging and iMAPS All Asia Conference (ICEP-IAAC 2018) において2件の論文を発表します。
  • Kenta Suzuki, Masahiro Tanaka, Kota Tsurumi and Ken Takeuchi
    “43 % Reduced Program Time, 23 % Energy Efficient ReRAM Boost Converter with PMOS Switching Transistor and Boosted Buffer Circuit for ReRAM and NAND Flash Hybrid SSDs”
  • Masaru Nakanishi, Yutaka Adachi, Chihiro Matsui, Yusuke Sugiyama and Ken Takeuchi
    “Application-oriented Wear-leveling Optimization of 3D TSV-integrated Storage Class Memory-based Solid State Drives”
  • 18/04/02 研究室のメンバー(People)を更新しました。

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